GD300HFX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

493

300

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L S =66nH, V GE =±15V, T j =25 o C

265

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

565

nS

t k

Herbstzeit

326

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

77.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L S =66nH, V GE =±15V, T j =125 o C

302

nS

t r

Aufstiegszeit

104

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

631

nS

t k

Herbstzeit

521

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

108

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L S =66nH, V GE =±15V, T j =150 o C

313

nS

t r

Aufstiegszeit

108

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

645

nS

t k

Herbstzeit

545

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

119

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

78.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I K =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.95

I K =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=2650A/μs, V GE =-15V L S =66 nH ,T j =25 o C

56.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

228

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=2300A/μs,V GE =-15V L S =66 nH ,T j =125 o C

89.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

262

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

60.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=2250A/μs, V GE =-15V L S =66 nH ,T j =150 o C

102

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

272

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

69.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.121

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g