GD300HFX170C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

PD

Maximale Energieverteilung T =175o C

1829

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

36.1

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.88

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G= 2,4Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

204

nS

t r

Aufstiegszeit

48

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

595

nS

t f

Herbstzeit

100

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

69.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G=2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 125o C

224

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

611

nS

t f

Herbstzeit

159

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

96.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

99.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G=2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 150o C

240

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

624

nS

t f

Herbstzeit

180

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

107

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

105

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

55

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

297

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

116

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

357

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

68.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

396

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

81.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g