MZ250, Schnelle Wiederherstellungsdiode Modul, TECHSEM

VRRM

Typ & Umriss

2000 V

2200V

mit einer Leistung von

2800 V

3000 V

MZ250-20-417F2

MZ250-22-417F2

MZ250-25-417F2

MZ250-28-417F2

MZ250-30-417F2

Symbol

CHARAKTER ISTIK

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° Halbsinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=85°C

140

250

Ein

IF(RMS)

RMS-Vorwärtsstrom

392

Ein

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

140

50

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

140

8

kA

I ²t

I ²t für die Schmelzsicherung

320

10³Ein ²s

VFO

Schwellenspannung

140

1.85

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.50

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=750A

25

2.67

V

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.030

°C /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Anschlussdrehmoment (M10)

10

12

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

140

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

770

g

Gliederung

417F2