Technische Einführung
Leistungshalbleiter-Tiefen-Graben-MOSFETs für Niederspannung haben sich aus den früheren planaren Gate-Feldeffekttransistoren (FETs) entwickelt. Diese Bauelemente verbessern den horizontalen leitfähigen Kanal, indem sie auf einen vertikalen leitfähigen Kanal umschalten, wodurch die Fläche der Einzelzelle weiter verringert werden kann. Gleichzeitig wird eine schwach dotierte Epitaxieschicht verwendet, um eine ausreichende Spannungsfestigkeit zu gewährleisten; durch Variation der Dotierungskonzentration und der Dicke der Epitaxieschicht lassen sich problemlos Bauelemente mit unterschiedlichen Spannungsklassen realisieren. Während sichergestellt wird, dass die Durchbruchspannung des Bauelements den Anforderungen genügt, besteht ein wichtiger Entwicklungstrend bei Graben-Leistungsbauelementen darin, die Größe der einzelnen Einzelzellen zu verkleinern und deren Dichte zu erhöhen, wodurch der Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit gesenkt wird.
Die Mittel- und Niederspannungs-Graben-(Trench-)MOSFET-Serie produkte umfasst Spannungsbereiche von N/P20 V bis 100 V. Verschiedene Konstruktionskonzepte werden eingesetzt, um die spezifischen Leistungsanforderungen verschiedener anwendung felder, die eine hervorragende Leistung in jeder jeweiligen Anwendung sicherstellen.
Produktvorteile und Wettbewerbsfähigkeit
Hauptanwendungsgebiete
Schema-Diagramm eines planaren MOSFET
MOSFET-Katalog
--Grabenv-MOSFET
| Teilenummer |
iD(A)
25℃
|
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 10 V) |
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 4,5 V) |
Qg (n)
(Vcs = 10 V) |
Qg (n)
(VGS = 4,5 V) |
VGS
(V) |
VGs(th)
(V) |
Verpackung |
| - Das ist typisch. |
Max. |
- Das ist typisch. |
Max. |
- Das ist typisch. |
- Das ist typisch. |
- Das ist typisch. |
|
Spannungspegel ：30V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
Spannungspegel ：40V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
Bis-220 |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
Bis-220 |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
Spannungspegel ：60V
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
TO-263 |
|
|
Spannungspegel ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
TO-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
TO-263 |
FAQ
Q : Ich bin ein Hersteller elektrischer Ausrüstung – wie kann ich Ihre Produkte auswählen?
A: Die Auswahl des richtigen Produkts ist für alle Anwender von entscheidender Bedeutung. Bitte teilen Sie mir korrekt Ihr Anwendungsgebiet sowie die wesentlichen Parameter des benötigten IGBT mit. Basierend auf Ihren Anforderungen empfehle ich Ihnen passende Produkte und sende Ihnen das zugehörige Datenblatt zur Bestätigung der Parameter.
- Was ist das? Ich bin ein Markeninhaber – können Sie für mich OEM-Leistungen erbringen?
A: Ja. Sie können aus unserem gesamten Produktportfolio das gewünschte Modell für eine OEM-Produktion auswählen. Für Produkte außerhalb unseres Katalogs erstellen unsere Ingenieure Konstruktionen gemäß Ihren technischen Anforderungen.
Unterzeichnen Sie dann den Fertigungsvertrag.
Sie können uns beauftragen, Ihr Logo auf Ihr Produkt zu drucken, oder Sie führen den Druck selbst durch. Selbstverständlich benötigen wir von Ihnen eine Vollmacht, falls Sie unser Unternehmen mit dem Aufdruck Ihres Logos beauftragen möchten.
F: Wie stellen Sie die Qualität Ihrer Produkte sicher?
A: Unsere Produktionsstätte verfügt über ein vollständiges Qualitätsmanagementsystem und ein erstklassiges Qualitätsprüfungs-Labor. Wir führen Qualitätskontrollen an Halbfertigprodukten an entscheidenden Stellen des Produktionsprozesses durch und führen vor dem Versand eine abschließende Stichprobenprüfung durch. Prüfberichte und Qualitätszertifikate werden ebenfalls ausgestellt.
F: Wie garantieren Sie, dass die von Ihnen gelieferten Produkte original und authentisch sind?
A: (1) Unsere Fabrik unterzeichnet ein Echtheitsgarantieschreiben für die Produkte.
(2) Jede von uns exportierte Warencharge wird von einer Ursprungsbescheinigung begleitet, die vom chinesischen Zoll ausgestellt wurde. s.
Wir konzentrieren uns auf die Anwendung von IGBT-Produkten. Auf der Grundlage dieser IGBT-Anwendungen haben wir unser Produktspektrum auf die maßgeschneiderte Herstellung hochwertiger Leistungsbaugruppen erweitert; gleichzeitig hat sich unser Geschäftsbereich auf Automatisierungssteuerungsprodukte ausgeweitet, darunter ADC/DAC, LDO, Messverstärker, elektromagnetische Relais, PhotoMOS und MOSFET.
Auf diese Weise können wir mit führenden chinesischen Herstellern in unseren Fachgebieten zusammenarbeiten, um unseren Kunden zuverlässige und kostengünstige Produkte anzubieten.
Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, stehen wir an der Spitze von Halbleiter-Alternativlösungen und Technologie.
Unsere Vision ist es, unseren Kunden alternative Lösungen anzubieten, die Kostenleistung ihrer Anwendungslösungen zu verbessern und die Sicherheit ihrer Lieferkette durch Produkte „Made in China“ sicherzustellen.
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