Mit der rasanten Entwicklung von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, industrieller Automatisierung und fortschrittlicher Leistungselektronik werden Siliziumkarbid-(SiC-)Leistungshalbleiter zu einer wichtigen Technologie für leistungsfähige Stromversorgungssysteme der nächsten Generation.
Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen bieten SiC-Bauelemente mehrere technische Vorteile, darunter höhere Schaltfrequenz, geringere Schaltverluste, höhere Temperaturbeständigkeit und verbesserte Leistungsdichte. Diese Eigenschaften tragen zur Steigerung der Systemeffizienz, zur Senkung des Energieverbrauchs und zur Realisierung kompakterer sowie leichterer Systemdesigns bei.
Um der wachsenden Marktnachfrage nach Hochleistungs-Leistungshalbleitern gerecht zu werden, erweitern wir unser Produktportfolio um eine vollständige Palette an SiC- produkte und Lösungen. Unsere SiC-Produktlinie umfasst:
SiC-MOSFET-Module
Einzelne SiC-MOSFET-Bauelemente
SiC-Schottky-Sperrschichtdioden (SBD)
Voll-SiC-Leistungslösungen
Unsere Produkte finden Anwendung in einer breiten Palette von Branchen und Einsatzgebieten, darunter:
Elektrofahrzeuge (EV)
Energiespeichersysteme (ESS)
Solarumrichter
Industrielle Wechselrichter und Motorantriebe
Ladesysteme für Elektrofahrzeuge
Stromversorgungseinrichtungen
Systeme für industrielle Automatisierung
Eisenbahn- und hochleistungsfähige industrielle Anwendungen
Wir verstehen, dass Kunden unterschiedliche Anforderungen hinsichtlich Leistung, Gehäusetypen, Kostenoptimierung und anwendung Umgebungsbedingungen haben. Daher unterstützen wir unsere Kunden neben Standardprodukten auch bei der Produktauswahl und der Anpassung an ihre Projektanforderungen.
Da sich die SiC-Technologie weiterentwickelt und weltweit zunehmend Verbreitung findet, freuen wir uns darauf, gemeinsam mit Kunden und Partnern weltweit zuverlässige und effiziente SiC-Leistungshalbleiterlösungen für zukünftige Energie- und Industrieanwendungen bereitzustellen.
SCE900N1200ED
SiC Modul
Eigenschaften
- Hohe Temperatur, hohe Luftfeuchtigkeit und Betrieb unter Spannung
- Ultrageringe Verluste
- Hochfrequenzbetrieb
- Kein Abschalt-Schwanzstrom vom MOSFET
- Normalerweise ausgeschaltet, fehlersichere Gerätefunktion
- Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator
Anwendungen
- Hochleistungs-Wandler
- Motorantriebe
- Servobetrieb
- UPS-Systeme
- Windkraftanlagen
Symbol |
Parameter |
Werte |
Einheit |
Prüfung Bedingungen |
Absolute Höchstmenge leistung |
V Ds |
Dreckschlepp-Spannung |
1200 |
V |
T C = 25°C |
W D |
Abflussstrom (kontinuierlich) |
900 |
Ein |
T C = 25°C |
T J |
Junction-Temperatur |
175 |
。C |
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
Prüfung Bedingungen |
Statische Kennlinie en |
R DS(on) |
Statischer Abfluss-Source-Einschaltwiderstand Widerstand |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V Gs =18 V; W D = 450 A; T C = 25°C |
Dynamische Eigenschaften |
Q G |
Gesamttor Ladevorgang |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800 V; V Gs =-5/+18 V; W D = 450 A; T C = 25°C |
Q GD |
Gitter-Drain-Ladung |
- |
705 |
- |
Source-Drain-Diode |
Q RR |
Rückwärtswiederherstellung Ladevorgang |
- |
5517 |
- |
nC |
V Gs =-5/+18 V; W F = 500 A; V R = 900 V; Last = 100 µH; T J = 25°C |
Absolut Maximal Kennwerte (bei T C =25°C es sei denn sonstige angegeben )
EN
