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YMIF250-65 Original CRRC IGBT-Modul 6500V 250A Hochspannungstransistor Chopper Diskrete Halbleitermodule

YMIF250-65 Original CRRC IGBT-Modul 6500V 250A Hochspannungstransistor Chopper Diskrete Halbleitermodule

Einführung

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigung und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Optimierung der Fabrikationslinien für automatische Getriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung.

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) AISiC-Basisplatte für eine hohe Leistungszyklenkapazität
(2) AIN Substrate für einen niedrigen thermischen Widerstand
(3) SPT+Chip-Set für niedrige Schaltverluste
(4) Niedrige Treiberleistung

(5) Niedriges VCEsat

Typische Anwendungen

(1) Traktionsantriebe
(2) Motorregler
(3) DC Helikopter
(4) Hochspannungswechselrichter/-wandler

YMIF250 bis 65

6500V/250A Hochspannungs-IGBT-Module

Schlüsselparameter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES		6500	V
V _CE(sat)	- Das ist typisch.	4.3	V
I _C	Max.	250	Ein
I _CM	ICRM	500	Ein

Absolute maximale Bewertungen

Parameter	Symbol	Bedingungen	min	max	Einheit
Spannung zwischen Kollektor und Emitter	VCES	VGE = 0V,Tvj ≥ 25°C		6500	V
DC Kollektorstrom	IC	TC =80°C		250	Ein
Spitzenstrom des Kollektors	ICM	tp=1ms,Tc=80°C		500	Ein
Spannung des Tor-Emitters	VGES		-20	20	V
Gesamtleistungsverlust	Ptot	TC =25°C, pro Schalter (IGBT)		3200	W
DC Vorwärtsstrom	IF			250	Ein
Spitzen-Vorwärtsstrom	IFRM	tP=1 ms		500	Ein
IGBT Kurzschluss SOA	tpsc	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.		10	μs
Isolationsspannung	Schnüren	1min, f=50Hz		10200	V
Junction-Temperatur	Fernsehen			125	℃
Junction-Betriebstemperatur	Tvj(op)		-50	125	℃
Gehäusetemperatur	TC		-50	125	℃
Lagertemperatur	Tstg		-50	125	℃
Montagedrehmomente	Ms		4	6	Nm
	Mt1		8	10

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

Produktverpackung