TIM500GDM33-PSA011 Neues Original CRRC IGBT-Leistungsmodul Diskretes Halbleitertransistor Chopper Wechselrichter/Umwandler Antriebe

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an der Spitze bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologie. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigung und Vertrieb. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassiger Design- und Fertigungstechnologie zusammen. Die Optimierung der Fabrikationslinien für automatische Getriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Auftragsfertigung.

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) AISiC-Basisplatte für eine hohe Leistungszyklenkapazität
(2) AIN Substrate für einen niedrigen thermischen Widerstand
(3) Hohe thermische Zyklusfähigkeit
(4) Hohe Stromdichte

(5) 10μs Kurzschlussfestigkeit
(6) Niedrige VCEsat

Typische Anwendungen

(1) Traktionsantriebe
(2) Motorregler
(3) Chopper
(4) Mittelspannungswechselrichter/-wandler

TIM500GDM33 -PSA011

Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

3300V/500A Hochspannungs-IGBT-Module

Schlüsselparameter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES		3300	V
V _CE(sat)	- Das ist typisch.	2.4	V
I _C	Max.	500	Ein
I _CM	ICRM	1000	Ein

Absolute maximale Bewertungen

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	3300	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ T _C=100℃	500	Ein
I _CM	Puls Kollektorstrom, tp=1ms, Tc=140°C	1000	Ein
P _tot	Gesamt-Leistungsdissipation, TC=25°C, pro Schalter (IGBT)	5200	W
I ²t	Diode I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isolierung	1min, f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT Kurzschluss SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
I _F	DC Vorwärtsstrom	500	Ein
I _FRM	Spitzenvorwärtsstrom ,tp=1ms	1000	Ein
Q _PD	Partielle Entladung,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Montagedrehmomente	M _SMontage – M6	5	Nm
		M _T1Elektrische Verbindungen M4		2
		M _T2Elektrische Verbindungen M8		8

Diodencharakteristikwerte

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	typ	Max.	Wert		Einheit
V _F	Durchlassspannung IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V		℃
I _rR	Rückwärts-Rückgewinnungsstrom I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		Ein
				Tvj = 125 °C			460		Ein		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rR	Wiederhergestellte Ladung I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _erklärungen	Rückwärtsrekuperationsenergie I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT Charakteristische Werte

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
_{V _CEsat}	Kollektor-Emitter-Spannungsabfall.I _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
I _GES	Durchlässigkeit des Tores	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Gate-Emitter Schwellenwertspannung	I _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
I _CES	Sammler-Emitter-Sättigungsspannung V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
I _SC	Kurzschlussstrom	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		Ein
I _FRM	Dioden-Spitzenvorwärtsstrom	t _P= 1ms		500		Ein
t _{(Das ist ein}	Verzögerungszeit der Einleitung	Tvj = 25 °C		650		nS
				Tvj = 125 °C		630		nS
				Tvj = 150 °C		620		nS
t _{d ((aus)}	Verzögerungszeit für die Abschaltung	Tvj = 25 °C		1720		nS
				Tvj = 125 °C		1860		nS
				Tvj = 150 °C		1920		nS
I _SC	Kurzschlussstrom	t _psc≤ 10μs, V _GE=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		Ein
Cies	Eingangskapazität	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
QG	Gate-Ladung	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Rückwärtsübertragungs-Kapazität	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _auf	Energieverlust beim Einschalten Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3,0Ω RG(OFF)=4,5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _aus	Energieverlust beim Ausschalten Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

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