TIM250PHM33-PSA011 IGBT-Modul-Transistor für Chopper-Wandler Neues und Originals-Chopper CRRC IGBT-Leistungsmodul

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigung und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Optimierung der Fabrikationslinien für automatische Getriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung.

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	FRD-Modul
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) AISiC-Basisplatte
(2) AIN Substrate
(3) Hohe Wärmezyklusfähigkeit
(4)10μs Kurzschlussfestigkeit

Typische Anwendungen

(1) Traktionshilfen
(2) Motorregler
(3) Chopper
(4)Hochzuverlässiger Wechselrichter

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Halbbrücke IGBT

Schlüsselparameter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES		3300	V
V _CE(sat)	- Das ist typisch.	2.5	V
I _C	Max.	250	Ein
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	500	Ein

Absolute maximale Bewertungen

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	3300	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ T _C=100℃	250	Ein
I _C(PK)	Pulsierter Kollektorstrom t _p=1ms	500	Ein
P _max	Max. Transistorenleistungsabbau Tvj = 150 °C, TC = 25 °C	2600	W
I ²t	Diode I ²t V _R=0V, t _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V _isolierung	Isolationsspannung pro Modul (Gemeinsame Anschlüsse zum Basisplatten), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
Q _PD	Teilweise Entladung pro Modul IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Wärme- und mechanische Daten

Symbol	Erklärung	Wert	Einheit
Schleichentfernung	Terminal zur Heatsink	33.0	mm
Schleichentfernung		Terminal zu Terminal	33.0	mm
Bodenfreiheit	Terminal zur Heatsink	20.0	mm
Bodenfreiheit		Terminal zu Terminal	20.0	mm
CTI (Vergleichsverfolgungsindex)	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t _p=1ms	＞600

Wärme- und mechanische Daten

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	Max.	Wert		Einheit
R _{th(J-C) IGBT}	Wärmeleit-widerstand – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Thermischer Widerstand – Diode			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Thermischer Widerstand – gehäuse zur Heizkessel (IGBT)	Einheit für die Verwendung in der Maschine mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Diode}	Thermischer Widerstand – gehäuse für die Kühlkörper (Diode)	Einheit für die Verwendung in der Maschine mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C		36	K / kW		V
T _{vj op}	Betriebstemperatur der Sperrschicht	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Betriebstemperatur der Sperrschicht			Diode	-40	150	°C
M	Schraubdrehmoment	Montage M6		5	nm
M			Elektrische Verbindungen – M5		4	nm

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
I _CES	Sammler-Abschlusstrom	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 125 °C			15	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			25	mA
I _GES	Durchlässigkeit des Tores	V _GE= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Schrankschwellenspannung	I _C= 20mA, V _GE= VCE	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(gesättigt)	Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
I _F	Diodenvorwärtsstrom	DC		250		Ein
I _FRM	Dioden-Spitzenvorwärtsstrom	t _P= 1ms		500		Ein
V _F	Diodenvorwärtsspannung	I _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.40	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
I _SC	Kurzschlussstrom	T _vj= 150° C, V _CC= 2500 V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max) = V _CES– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		Ein
Cies	Eingangskapazität	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF
QG	Gate-Ladung	±15		2.6		V
Cres	Rückwärtsübertragungs-Kapazität	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF
L _M	Modulinduktivität			40		nH
R _INT	Interne Transistorwiderstand			0.5		mΩ

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

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