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STARPOWER GD300HFX120C2S Neu und Original STARPOWER IGBT-Modul Diskretes Halbleitermodul für Wechselrichter UPS Transistor
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Einführung
Unternehmensprofil
Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportqualifikationen. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an der Spitze bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologie. Das Unternehmen spezialisiert sich auf den Entwurf von Halbleiterprodukten, Auftragsanpassung und Vertrieb. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner. Wir arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern zusammen, die über erstklassige Design- und Fertigungstechnologien verfügen. Die Anpassung der Optimierung von Fabrikantriebslinien ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Auftragsfertigung.

Unsere produkte
Unsere Produktliste:
1
IGBT-Modul und Fahrer
2
IGCT-Modul und Fahrer
3
Inverter-Kernplatte
4
Diodenmodul
5
Thyristor-Modul
6
Stromsensor
7
Verdichter
8
Widerstand
9
Energiespeichersystem
10
Industrieroboter und Kernkomponenten
11
Zivile Drohnen und Kernkomponenten
Produktebeschreibung
GD300HFX120C2S_
1200V/300A 2 in einem Paket

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Dieser Typ Leistungsmodule bietet extrem geringe Leitverluste sowie Kurzschlussfestigkeit. Sie sind für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV konzipiert.

Eigenschaften

(1) Niedrige VCE(sat)-Trench-IGBT-Technologie
(2) 10μs Kurzschlussfähigkeit
(3) VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
(4) Maximale Junction-Temperatur 175℃
(5) Niedrige Induktivität des Gehäuses
(6) Schnelle & weiche Rückwärts-Wiederherstellung anti-parallele FWD
(7) Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

(1) Wechselrichter für den Motorantrieb
(2) AC- und DC-Servotreiber Verstärker
(3) Ununterbrochene Stromversorgung

Absolute maximale Bewertungen

T C =25℃ außer anders vermerkt


IGBT
Symbol
Beschreibung
Wert
Einheit
V CES
Spannung zwischen Kollektor und Emitter
1200
V
V GES
Spannung des Tor-Emitters
±20
V
I C
30Sammlerstrom @ T C =25℃
@ T C =100℃
451
450
Ein
I CM
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms
600
Ein
P D
Maximalleistung Ablösung @ T j =175℃
1428
W

Diode
Symbol
Beschreibung
Wert
Einheit
V RRM
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung
1200
V
I F
Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom
300
Ein
I FM
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms
600
Ein

Modul
Symbol
Beschreibung
Wert
Einheit
T jmax
Maximale Junction-Temperatur
175
℃
T - Was ist los?
Betriebstemperatur der Sperrschicht
-40 bis +150
℃
T Stg
Lagerungstemperaturbereich
-40 bis +125
℃
V ISO
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min
2500
V
Produktverpackung

MPQ:

12 Stück

In der Originalverpackung des Herstellers geliefert

Holzkiste hinzufügen

Auf Wunsch des Kunden können zur Sicherheit Holzboxen hinzugefügt werden.
Warum uns wählen
1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

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