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GD650HFX170P1S Starpower Leistungsmodul Neu Original IGBT-Transistormodul UPS Wechselrichter 1700V Durchbruch elektronische Komponenten

GD650HFX170P1S Starpower Leistungsmodul Neu Original IGBT-Transistormodul UPS Wechselrichter 1700V Durchbruch elektronische Komponenten

Einführung

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und
exportqualifikationen, hauptsächlich in der Vertriebsabteilung von Halbleitern produkte und Auftragsanfertigung made in CHINA.
Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller. Daher vertreiben wir ausschließlich Produkte chinesischer Hersteller mit
erstklassiger Technologie.
Die Anpassung der Optimierung von Fertigungslinien für Automatikgetriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unseres Vertrags.
herstellung.

Unsere PRODUKTE

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	FRD-Modul
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) Niedrige VCE(sat)-Trench-IGBT-Technologie
(2) 10μs Kurzschlussfähigkeit
(3) VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
(4) Maximale Junction-Temperatur 175℃
(5) Niedrige Induktivität des Gehäuses
(6) Schnelle & weiche Rückwärts-Wiederherstellung anti-parallele FWD
(7) Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

(1) Hochleistungswandler
(2) Wind- und Solarenergie
(3) Traction Drive

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 geändert.

1700V/650A 2 in einem Gehäuse

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Dieser Typ von IGBT-Power-Modul bietet ultra
niedrige Leitverluste sowie Kurzschlussfestigkeit.
Sie sind für Anwendungen wie
wind- und Solarenergie.

Absolute maximale Bewertungen

T _C=25℃ außer anders vermerkt

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	1073 650	Ein
I _CM	Pulsierter Kollektorstrom t _p=1ms	1300	Ein
P _D	Maximalleistung Ablösung @ T _j=175℃	4200	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1700	V
I _F	Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom	650	Ein
I _FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t _p=1ms	1300	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T _jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
T _{- Was ist los?}	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
T _Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	℃
V _ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

Produktverpackung