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GD600HFX170C6S IGBT-Modul Neu Original Starpower Leistungsmodul Gleichstrom-Eingang 1700V Durchbruch UPS Wechselrichter Elektronikkomponenten

GD600HFX170C6S IGBT-Modul Neu Original Starpower Leistungsmodul Gleichstrom-Eingang 1700V Durchbruch UPS Wechselrichter Elektronikkomponenten

Einführung

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigung und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Optimierung der Fabrikationslinien für automatische Getriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung. .

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

Produktebeschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1700V/600A 2 in einem Gehäuse

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Dieser Typ Leistungsmodule bietet extrem geringe Leitverluste sowie Kurzschlussfestigkeit. Sie sind für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV konzipiert.

Eigenschaften

(1) Niedrige VCE(sat)-Trench-IGBT-Technologie
(2) 10μs Kurzschlussfähigkeit
(3) VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
(4) Maximale Junction-Temperatur 175℃
(5) Niedrige Induktivität des Gehäuses
(6) Schnelle & weiche Rückwärts-Wiederherstellung anti-parallele FWD
(7) Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

(1) Wechselrichter für den Motorantrieb
(2) AC- und DC-Servotreiber Verstärker
(3) Ununterbrochene Stromversorgung

Absolute maximale Bewertungen

T _C=25℃ außer anders vermerkt

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	1069 600	Ein
I _CM	Pulsierter Kollektorstrom t _p=1ms	1200	Ein
P _D	Maximalleistung Ablösung @ T _j=175℃	4166	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1700	V
I _F	Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom	600	Ein
I _FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t _p=1ms	1200	Ein
I _FSM	Stoßvorwärtsstrom VR=0V, tp=10ms, @Tj=25℃ @Tj=150℃	3400	Ein
I _FSM	Stoßvorwärtsstrom VR=0V, tp=10ms, @Tj=25℃ @Tj=150℃		Ein	2700
I ²t	I 2 t-Wert, tp=10ms @ Tj=25℃ @ Tj=150℃	57800	Ein ²s
I ²t	I 2 t-Wert, tp=10ms @ Tj=25℃ @ Tj=150℃		Ein ²s	36450

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T _jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
T _{- Was ist los?}	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
T _Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	℃
V _ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V