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GD300HFX170C2S Original Leistungsmodul Neu IGBT Transistormodul für UPS Wechselrichter AC DC Servoantrieb Verstärker Starpower

GD300HFX170C2S Original Leistungsmodul Neu IGBT Transistormodul für UPS Wechselrichter AC DC Servoantrieb Verstärker Starpower

Einführung

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigungen und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Anpassung der Optimierung von Fabrik-Autotransmissionslinien ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Auftragsfertigung. .

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) Niedrige VCE(sat)-Trench-IGBT-Technologie
(2) 10μs Kurzschlussfähigkeit
(3) VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
(4) Maximale Junction-Temperatur 175℃
(5) Niedrige Induktivität des Gehäuses
(6) Schnelle & weiche Rückwärts-Wiederherstellung anti-parallele FWD
(7) Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

(1) Wechselrichter für den Motorantrieb
(2) AC- und DC-Servotreiber Verstärker
(3) Ununterbrochene Stromversorgung

GD300HFX170C2S

1700V/300A 2 in einem Paket

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Dieser Typ Leistungsmodule bietet extrem geringe Leitverluste sowie Kurzschlussfestigkeit. Sie sind für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV konzipiert.

Absolute maximale Bewertungen

T _C=25℃ außer anders vermerkt

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	650 300	Ein
I _CM	Pulsierter Kollektorstrom t _p=1ms	600	Ein
P _D	Maximalleistung Ablösung @ T _j=175℃	2050	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1700	V
I _F	Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom	300	Ein
I _FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t _p=1ms	600	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T _jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	℃
T _{- Was ist los?}	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	℃
T _Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	℃
V _ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

Produktverpackung