CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT-Modul 1700V Wechselrichter Umwandler Antriebe Original Neu Windkraftanlagen Diskrete Halbleitermodule

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigung und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Optimierung der Fabrikationslinien für automatische Getriebe ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung.

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Energiespeichersystem
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) AISiC-Basisplatte für eine hohe Leistungszyklenkapazität
(2) Cu Basisplatte
(3) Hohe thermische Zyklusfähigkeit
(4) Hohe Stromdichte

(5) 10μs Kurzschlussfestigkeit
(6) Niedrige VCEsat

Typische Anwendungen

(1) Motorantriebe
(2) Hochleistungswandler
(3) Windturbinen
(4) Hochverlässlicher Wechselrichter

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Halbbrücke IGBT

Schlüsselparameter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES		1200	V
V _CE(sat)	- Das ist typisch.	1.85	V
I _C	Max.	1000	Ein
IC ((RM)	Max.	2000	Ein

Absolut maximale Werte ( Tcase = 25°C, es sei denn, anders angegeben )

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I _C	Kollektorstrom @ Tcase = 90 °C	1000	Ein
I _C(PK)	Spitzen-Kollektorstrom, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	Ein
P _max	Maximale Transistormaximalleistung, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
I ²t	Diode I ²t ,V _R=0V, t _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isolierung	(Gemeinsame Anschlüsse zur Basisplatte), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
I _F	Diodenvorwärtsstrom, Gleichspannung	1000	Ein
I _FRM	Maximaler Diodenvorwärtsstrom, tp=1ms	2000	Ein
Montagedrehmomente	Montage – M5	6	Nm
	Montage – M5	6
		Elektrische Verbindungen M8		10

Elektrische Eigenschaften

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

typ

Max.

Wert

Einheit

V _F

Diodenvorwärtsspannung

I _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

I _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _FRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

t _P= 1ms

2000

Ein

I _F

Diodenvorwärtsstrom,

DC

1000

Ein

Einfach

Diode Rückwärts
rückgewinnungsstrom

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C)

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

Ein

620

655

Qrr

Diode Rückwärts
einziehungsgebühr

285

μC

315

340

E _erklärungen

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V _{CE (sat)}	Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 150°C			2.2	2.6
I _CES	Sammler-Abschlusstrom	V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 150°C				20
I _GES	Durchlässigkeit des Tores	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Gate-Emitter Schwellenwertspannung	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{(Das ist ein}	Verzögerungszeit der Einleitung @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(AUS) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C) @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		nS
								1410
								1440
td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(AUS) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C) @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		nS
								470
								450
I _SC	Kurzschlussstrom	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		Ein
Cies	Eingangskapazität	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Rückwärtsübertragungs-Kapazität	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
QG	Gate-Ladung	±15V		11.4		μC
E _auf	Einschaltenergieverlust @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C)		340		mJ
								370
								385
E _aus	Energieverlust beim Ausschalten @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C)		350		mJ
								360
								385

Warum uns wählen

1. Wir vertreiben nur Produkte von chinesischen Herstellern mit erstklassiger Technologie. Dies ist unsere wichtigste Maßnahme.
2. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller.
3. Wir sind in der Lage, Kunden alternative Lösungen aus China anzubieten.
4. Wir haben ein verantwortungsbewusstes Team.

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