CRRC 1700V 2400A Hochspannungs-IGBT-Modul TIM2400ESM17-TSA000 Neu/Original Smart-Grid-Leistungsmodul Chopper Umrichter Konverter

Unternehmensprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein auf Technologie basierendes Unternehmen mit Import- und Exportberechtigung. Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, steht es an vorderster Stelle bei Halbleiter-Ersatzlösungen und -Technologien. Das Unternehmen spezialisiert sich auf die Gestaltung von Halbleiterprodukten, Auftragsanfertigungen und Distribution. Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl unserer Kooperationspartner und arbeiten nur mit Technologieunternehmen und Herstellern mit erstklassigen Design- und Fertigungstechnologien zusammen. Die Anpassung der Optimierung von Fabrik-Autotransmissionslinien ist ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Auftragsfertigung. .

Unsere produkte

1	IGBT-Modul und Fahrer
2	IGCT-Modul und Fahrer
3	Inverter-Kernplatte
4	Diodenmodul
5	Thyristor-Modul
6	Stromsensor
7	Verdichter
8	Widerstand
9	Gleichrichterrelay
10	Industrieroboter und Kernkomponenten
11	Zivile Drohnen und Kernkomponenten

Produktebeschreibung

Eigenschaften

(1) AISiC-Basisplatte
(2) AIN Substrate
(3) Hohe thermische Zyklusfähigkeit
(4)10μs Kurzschlussfestigkeit

(5) Niedrige Vce(sat)-Bauelement

(6) Hohe Stromdichte

Typische Anwendungen

(1) Traktionsantriebe
(2) Motorregler
(3) Smart Grid
(4)Hochzuverlässiger Wechselrichter

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Einzigartig Schalter IGBT

Schlüsselparameter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V _CES		1700	V
V _CE(sat)	- Das ist typisch.	1.75	V
I _C	Max.	2400	Ein
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	4800	Ein

Absolute maximale Bewertungen

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Wert	Einheit
V _CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Spannung des Tor-Emitters	T _C= 25 °C	±20	V
I _C	Sammler-Emitterstrom	T _C= 75°C	2400	Ein
I _C(PK)	Spitzenstrom des Kollektors	t _P=1ms	4800	Ein
P _max	Max. Transistorenleistungsabbau	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
I ²t	Diode I ²t	V _R=0V, t _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Schnüren	Isolations-spannung – pro Modul	(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte) AC RMS, 1 min, 50Hz, T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Partielle Entladung – pro Modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Wärme- und mechanische Daten

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	Max.	Wert		Einheit
R _{th(J-C) IGBT}	Wärmeleit-widerstand – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Thermischer Widerstand – Diode			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Thermischer Widerstand – gehäuse zur Heizkessel (IGBT)	Einheit für die Verwendung in der Maschine mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Betriebstemperatur der Sperrschicht	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Betriebstemperatur der Sperrschicht			Diode	-40	150	°C
M	Schraubdrehmoment	Montage M6		5	nm
				Elektrische Verbindungen –M4		2	nm
				Elektrische Verbindungen –M8		10	nm

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
I _CES	Sammler-Abschlusstrom	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
I _GES	Durchlässigkeit des Tores	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Schrankschwellenspannung	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
I _F	Diodenvorwärtsstrom	DC		2400		Ein
I _FRM	Dioden-Spitzenvorwärtsstrom	t _P= 1ms		4800		Ein
V _F	Diodenvorwärtsspannung	I _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
I _SC	Kurzschlussstrom	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		Ein
Cies	Eingangskapazität	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
QG	Gate-Ladung	±15		19		μC
Cres	Rückwärtsübertragungs-Kapazität	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Modulinduktivität			10		nH
R _INT	Interne Transistorwiderstand			110		mΩ

T fall = 25°C, es sei denn, anders angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min

Typ

Max

Einheit

t _{d ((aus)}

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G ((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2320

nS

E _Aus

Energieverlust bei Abschaltung

500

mJ

t _{(Das ist ein}

Verzögerungszeit der Einleitung

1050

nS

E _Auf

Einschaltenergieverlust

410

mJ

Q _rR

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

I _rR

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1000

Ein

E _erklärungen

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

320

mJ

T fall = 150°C, es sei denn, anders angegeben