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Planarer MOSFET

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Planarer MOSFET

Planarer MOSFET, 400 V–800 V

Die Hochspannungs-Planar-MOSFET-Serie wird unter Verwendung fortschrittlicher Planartechnologie konzipiert und hergestellt und umfasst Spannungsbereiche von 400 V bis 800 V.

Brand:

Spu:

Planarer MOSFET

Einführung

Einführung

Der Hochspannungs-Planar-MOSFET (Planar-MOSFET) ist ein spannungsgesteuertes Mehrfachübergangsbauelement mit Eigenschaften wie hoher Eingangsimpedanz, schneller Schaltgeschwindigkeit, geringer Ansteuerleistung, breitem sicheren Arbeitsbereich (SOA) und guter Temperaturstabilität. Er wird bereits weitläufig in Bereichen wie Schaltnetzteilen, Automobilelektronik und industrieller Steuerung eingesetzt.
Die Hochspannungs-Planar-MOSFET-Serie produkte wurde unter Einsatz fortschrittlicher Planartechnologie entwickelt und gefertigt und umfasst Spannungsbereiche von 400 V bis 800 V.

Vorteile:

Hohe Avalanche-Belastbarkeit
Hohe Schlagfestigkeit
Gute EMI-Kompatibilität
Vollständige Produktpalette

Breit anwendung bereiche:

Adapter
Ladegeräte
TV-Stromversorgungen
Stk
LEDs

Schema-Diagramm eines planaren MOSFET

高压平面MOSFET剖面示意图(5613daba06).png

Vergleich zwischen Planar-MOSFET und Super-Junction-MOSFET

MOSFET-Katalog

--Planar-MOSFET

Teilenummer	ID(A) 25 ℃	RDS(ON) (Ω) (VGS = 10 V)		Qg (nC) (VGS = 10 V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	Paket
		RDS(ON) (Ω) (VGS = 10 V)		Qg (nC) (VGS = 10 V)		VGS(th) (V)
		- Das ist typisch.	Max.	- Das ist typisch.		- Das ist typisch.
Spannungspegel ：400V
LNG7N40	7	0.96	1.2	11.4	30	3	TO-252

Spannungspegel ：450V
LNG10N45	10	0.50	0.5	6 20,3	±30	3	TO-252

Spannungspegel ：500V
LNG3N50B	2.5	3.1	3.6	6.3	±30	3	TO-252
LNG3N50	3	3	3.6	7.2	30	3	TO-252
LNG5N50C	5	2.05	2.4	9.5	30	3	TO-252
LND5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-220F
LNG5N50	5	1.38	1.6	13.2	30	3	TO-252
LNH5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-251
LNC5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	Bis-220
LND9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-220F
LNG9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-252
LND13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	TO-220F
LNC13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	Bis-220
LND16N50	16	0.26	0.36	51.9	±30	3	TO-220F
LND20N50W	20	0.23	0.29	50.5	30	3	TO-220F
LNE20N50W	20.7	0.24	0.29	55.2	±30	3	TO-263
LND18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220F
LNDN18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220NF
LNE18N50	21.6	0.248	0.28	58.7	±30	3	TO-263
LNA20N50W	22	0.23	0.29	58.8	±30	3	Bis 3p
LND25N50W	25	0.16	0.2	74.2	30	3	TO-220F
LNA25N50W	25	0.16	0.2	77.8	±30	3	Bis 3p
LNB25N50W	28	0.16	0.2	74.2	±30	3	Bis 247

Spannungspegel ：650V
LND2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-220F
LNC2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	Bis-220
LNG2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-252
LNH2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-251
LND4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-220F
LNF4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-262
LNG4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-252
LNH4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-251
LND5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-220F
LNH5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-251
LNG5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-252
LNC7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	Bis-220
LND7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNF7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-262
LNG7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-252
LNH7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-251
LNDN7N65D	7	1.1	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNC10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	Bis-220
LND10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220F
LNDN10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220NF
LNE10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-263
LNF10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-262
LNC12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	Bis-220
LND12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220F
LNDN12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220NF
LNE12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-263
LNF12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-262
LNC16N65	16	0.48	0.6	53.9	30	3	Bis-220
LND16N65	16	0.48	0.6	48.2	30	3	TO-220F
LNC20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	Bis-220
LND20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	TO-220F
LNB20N65	20	0.4	0.5	58.4	30	3	Bis 247

Spannungspegel ：700 V
LND6N70	6	1.25	1.6	21.8	30	3	TO-220F
LNG6N70	6	1.28	1.6	22	30	3	TO-252
LND12N70W	12	0.72	0.8	37.6	30	3	TO-220NF
LND15N70	15	0.52	0.6	50	30	3	TO-220F

Spannungspegel ：800V
LND4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-220F
LNH4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-251
LNG4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-252
LND8N80W	8	1.58	1.8	35.5	30	3	TO-220F
LND10N80	10	0.68	0.9	61.6	30	3.07	TO-220F

Über uns

Wir konzentrieren uns auf die Anwendung von IGBT-Produkten. Aufbauend auf der IGBT-Anwendung haben wir unser Produktspektrum auf maßgeschneiderte, hochwertige Leistungseinheiten erweitert. Gleichzeitig hat sich unser Geschäftsbereich auf Automatisierungssteuerprodukte ausgeweitet, einschließlich ADC/DAC, LDO, Instrumentenverstärker, elektromagnetische Relais, PhotoMOS und MOSFET. Auf diese Weise können wir mit führenden chinesischen Herstellern in unseren Fachgebieten zusammenarbeiten, um unseren Kunden zuverlässige und kosteneffiziente Produkte anzubieten.
Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, stehen wir an der Spitze von Halbleiter-Alternativlösungen und Technologie.
Unsere Vision ist es, unseren Kunden alternative Lösungen anzubieten, die Kostenleistung ihrer Anwendungslösungen zu verbessern und die Sicherheit ihrer Lieferkette durch Produkte „Made in China“ sicherzustellen.