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Wasserkühlung

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MTx400 MFx400 MT400,Tyristor/Diodenmodule,Wasserkühlung

400A,2600V bis 3600V,405F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen.
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/ Diodenmodul , MTx 400 MFx 600 MT 400400Ein ,Wasserkühlung von TECHSEM produziert.

V RRM ,V DRM

TYP & Umriss

2000 V

2200V

mit einer Leistung von

mit einer Leistung von

MTx400-20-405F3

MTx 400-22-405F3

MTx 400-25-405F3

MT420-3204

MFx400-20-405F3

MFx400-22-405F3

MFx400-25-405F3

MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK

Funktionen

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=55 C

125

400

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

628

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

45

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t= 10 ms halber Sinus,

125

11

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

605

103A2 s

VTO

Schwellenspannung

125

0.82

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.79

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1200A

25

2.18

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.11

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.04

/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

Wt

Gewicht

1060

g

Gliederung

405F3

Gliederung

Äquivalentschaltbild

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