MTx1200 MFx1200 MT1200, Thyristor/Diode Module, Wasser Kühlung

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT1B2B3 MT1B3B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B5 MT1B4B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1

Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1083/2006 aufgeführten Daten sind für die Zwecke der Erfassung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1083/2006 genannten Daten zu verwenden.

MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK

MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55 ℃

125

1200

A

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

1884

A

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

55

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

26.0

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

125

3380

10³A ²s

V _{Bis zu}

Schwellenspannung

125

0.83

V

r _T

Einschaltsteigungswiderstand

0.14

mΩ

V _TM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A

25

1.88

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

I _GT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

V _GT

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

I _H

Haltestrom

10

200

mA

I _L

Haltestrom

1000

mA

V _GD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

R _die

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.048

℃ /W

R _die

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.018

℃ /W

V _iSO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

16

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10

12

N·m

T _vj

Junction-Temperatur

-40

125

℃

T _stg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

3230

g

Gliederung

411F3