IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

v Wert

Einheiten

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

IC

Kollektorstrom @ TC=25℃

Kollektorstrom @ TC=80℃

5200

Ein

3600

ICM(1)

Pulsierende Kollektorstrom tp= 1ms

7200

Ein

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

Ein

IFM

Dioden maximaler Vorwärtsstrom @ TC=80°C

7200

Ein

PD

Maximale Verlustleistung @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

Tstg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V(BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

Tj=25℃

1700

v

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

VGE(th)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

QG

Gate-Ladung

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

Tj=25℃

0.4

Ω

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

NS

Tr

Aufstiegszeit

205

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1510

NS

TF

Herbstzeit

185

NS

EON

Einschalt-Schaltverluste

498

mJ

EOFF

Ausschalt-Schaltverluste

1055

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

NS

Tr

Aufstiegszeit

225

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1800

NS

TF

Herbstzeit

325

NS

EON

Einschalt-Schaltverluste

746

mJ

EOFF

Ausschalt-Schaltverluste

1451

mJ

Cies

Eingangskapazität

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Ausgangskapazität

13.2

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

10.5

NF

ISC

SC-Daten

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

Ein

LCE

Streuinduktivität

10

nH

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =3600A

t j =25 ℃

1.80

2.20

v

t j =125 ℃

1.90

2.30

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =3600A,

v r =900V,

r Gon =0.4Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

836

μC

t j =125 ℃

1451

I RM

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

2800

Ein

t j =125 ℃

3300

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

590

mJ

t j =125 ℃

1051