GD400HFF120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

620

400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C

2272

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =400A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

I C =400A,V GE =15V, T j =150 o C

2.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

ω

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 0,38Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

1496

nS

t r

Aufstiegszeit

200

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1304

nS

t k

Herbstzeit

816

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 0,38Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

1676

nS

t r

Aufstiegszeit

252

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1532

nS

t k

Herbstzeit

872

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

41.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.6

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 0,38Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

1676

nS

t r

Aufstiegszeit

260

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1552

nS

t k

Herbstzeit

888

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

46.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

24.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

I K =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I K =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

20.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

180

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

284

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.066

0.093

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g