GD400HFF120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

2272

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

I C =400A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

Ω

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

1496

NS

t R

Aufstiegszeit

200

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1304

NS

t F

Herbstzeit

816

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

1676

NS

t R

Aufstiegszeit

252

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1532

NS

t F

Herbstzeit

872

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

41.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g = 0,38Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

1676

NS

t R

Aufstiegszeit

260

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1552

NS

t F

Herbstzeit

888

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

46.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

24.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

180

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.8

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

52.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

60.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

284

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.066

0.093

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g