DG120X07T2, IGBT diskret, Starter

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

650

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

Pulsierend Sammler Aktuell t p eingeschränkt von T jmax

360

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

893

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

650

V

IF

Diode Dauerstrom @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFM

Diode Maximal Vorwärts Aktuell t p eingeschränkt von T jmax

360

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-55 bis +150

o C

T S

Löt Temperatur,1.6mm f rom Gehäuse für 10er

260

o C

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=120A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V GE =15V, T j =150o C

1.70

IC=120A,V GE =15V, T j =175o C

1.75

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=1.92mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

250

uA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

/

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

14.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.42

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C

68

nS

t r

Aufstiegszeit

201

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

166

nS

t f

Herbstzeit

54

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.19

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.56

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C

70

nS

t r

Aufstiegszeit

207

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

186

nS

t f

Herbstzeit

106

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.70

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.89

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =300V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V GE =±15V, LS =40nH ,T j =175o C

71

nS

t r

Aufstiegszeit

211

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

195

nS

t f

Herbstzeit

139

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.80

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.98

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =120A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

IF =120A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

t rR

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V LS =40nH ,T j =25o C

184

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

1.65

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

17.2

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.23

mJ

t rR

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V LS =40nH ,T j =150o C

221

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

3.24

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

23.1

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.53

mJ

t rR

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V LS =40nH ,T j =175o C

246

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

3.98

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

26.8

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.64

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.168 0.369

K/W

R die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W