1200V,120A
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Funktionen
Typisch ANWENDUNGEN
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
650 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
I C |
Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =135 O C |
240 120 |
Ein |
I CM |
Pulsierend Sammler Aktuell t P Begrenzt von t jmax |
360 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C |
893 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter |
650 |
V |
I F |
Diode Dauerstrom @ T C =25 O C @ T C =80 O C |
177 120 |
Ein |
I FM |
Diode Maximum Vorwärts Aktuell t P Begrenzt von t jmax |
360 |
Ein |
Diskret
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
t - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +175 |
O C |
t stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-55 bis +150 |
O C |
t s |
Löt Temperatur,1.6mm f rom Gehäuse für 10er |
260 |
O C |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
I C =120A,V GE =15V, t j =25 O C |
|
1.40 |
1.85 |
V |
I C =120A,V GE =15V, t j =150 O C |
|
1.70 |
|
|||
I C =120A,V GE =15V, t j =175 O C |
|
1.75 |
|
|||
V GE (th ) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
I C =1.92 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
I CES |
Sammler Schnitt -aus Aktuell |
V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
|
250 |
uA |
I GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
|
200 |
NA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
/ |
|
Ω |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
14.1 |
|
NF |
C res |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.42 |
|
NF |
|
Q g |
Gate-Ladung |
V GE =-15 ...+15V |
|
0.86 |
|
uC |
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =300V,I C =120A, R g =7.5Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =25 O C |
|
68 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
201 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
166 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
54 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
7.19 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
2.56 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =300V,I C =120A, R g =7.5Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =150 O C |
|
70 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
207 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
186 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
106 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
7.70 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
2.89 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =300V,I C =120A, R g =7.5Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =175 O C |
|
71 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
211 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
195 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
139 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
7.80 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
2.98 |
|
mJ |
|
I SC |
SC-Daten |
t P ≤6μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650 V |
|
600 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
I F =120A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.65 |
2.10 |
V |
I F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C |
|
1.60 |
|
|||
I F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C |
|
1.60 |
|
|||
t RR |
Diode Rückwärts Erholungszeit |
V R =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =25 O C |
|
184 |
|
NS |
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
|
1.65 |
|
μC |
|
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
17.2 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
0.23 |
|
mJ |
|
t RR |
Diode Rückwärts Erholungszeit |
V R =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =150 O C |
|
221 |
|
NS |
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
|
3.24 |
|
μC |
|
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
23.1 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
0.53 |
|
mJ |
|
t RR |
Diode Rückwärts Erholungszeit |
V R =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =175 O C |
|
246 |
|
NS |
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
|
3.98 |
|
μC |
|
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
26.8 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
0.64 |
|
mJ |
Diskret Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R thJC |
Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
|
0.168 0.369 |
K/W |
R Die |
Verbindung zum Umfeld |
|
40 |
|
K/W |
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