750A,600V bis 1800V, 216F3B
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Kurze Einführung
Schnelle Abschalt-Thyristor-Module ,MK(H) x200 MK200, 200A, Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
600V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
800V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von |
MHx75-08-216F3B |
1000V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 3 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
1200V |
Die Angabe der Angabe der Angabe ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1400V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von |
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen. |
1600V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 5 der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 festgelegten Bedingungen zu erfüllen. |
1800V |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 3 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
1800V |
MK75-18-216F3BG |
|
MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK
Funktionen ：
Typische Anwendungen ：
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( 。C) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=85 。C |
125 |
|
|
75 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
118 |
Ein |
||
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
30 |
mA |
I TSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM |
125 |
|
|
1.6 |
kA |
I 2t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
13 |
103Ein 2s |
||
V Um |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
1.50 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
4.00 |
mΩ |
||
V TM |
Spitzeneinschaltspannung |
Die in Anhang I Nummern 1 bis 5 genannten Angaben sind zu beachten. |
25 |
|
|
2.53 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
|||
I GT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
150 |
mA |
V GT |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
2.5 |
V |
||
I H |
Haltestrom |
20 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
||
V GD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.20 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.04 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
320 |
|
g |
Gliederung |
216F3B |
||||||
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