GD950HTX75P6HT

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 950V 750A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferpinfin-Bauplatte mit Si ₃N ₄AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	750	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	950	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =100 o C	450	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	1900	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T j =175 o C	1162	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE	750	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	950	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	450	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	1900	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T - Was ist los?	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus	-40 bis +150 +150 bis +175	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 450 A, V GE =15V, T j =25 o C		1.35	1.60	V
		I C = 450 A, V GE =15V, T j =150 o C		1.60
		I C = 450 A, V GE =15V, T j =175 o C		1.65
		I C =950A,V GE =15V, T j =25 o C		1.75
		I C =950A,V GE =15V, T j =175 o C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	4.9	5.8	6.5	V
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.60 mA ,V CE = V GE , Tj=175 o C		4.1
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			0.7		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V		69.1		nF
C - Die	Ausgangskapazität			2.31		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			1.05		nF
Q G	Gate-Ladung	V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-8...+15V		3.29		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j =25 o C		191		nS
t r	Aufstiegszeit			83		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			543		nS
t f	Herbstzeit			158		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			16.8		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			20.5		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j =150 o C		207		nS
t r	Aufstiegszeit			96		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			594		nS
t f	Herbstzeit			190		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			22.5		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			24.5		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j =175 o C		208		nS
t r	Aufstiegszeit			103		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			613		nS
t f	Herbstzeit			190		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			26.7		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			26.9		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤6μs, V GE =15V,		4800		Ein
		T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Diode Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 o C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 50o C		1.35
		I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 75o C		1.30
		I F =950A,V GE =0V,T j =25 o C		1.75
		I F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.75
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =25 o C		16.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			222		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			4.50		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=4810A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =150 o C		32.2		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			283		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.19		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=4630A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =175 o C		36.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			292		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			9.03		mJ

NTC Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.75		mΩ
p	Maximaler Kühldruck schönheit T ausfallplatte < 40 o C T ausfallplatte > 40 o C (relativer Druck)			2.5 2.0	stange
R die	Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T F = 75 o C		0.075 0.118	0.086 0.136	K/W
M	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Gewicht von Modul		750		g