1000A,600V bis 1800V,412F3
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Kurze Einführung
Thyristor/ Diodenmodul , MTx 1000 MFx 1000 MT 1000，1000Ein ,Luftkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
600V |
MT1B1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-06-412F3 |
800V |
MT1B1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-08-412F3 |
1000V |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-10-412F3 |
1200V |
MT1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-12-412F3 |
1400V |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-14-412F3 |
1600V |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-16-412F3 |
1800V |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-18-412F3 |
1800V |
MT1303F3G |
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MTx steht für Art der MTC, MTA, MTK
Merkmale
Typische Anwendungen
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
Typ |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=65 ℃ |
125 |
|
|
1000 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
1570 |
Ein |
||
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
55 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus, |
125 |
|
|
26.0 |
kA |
I 2t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
3380 |
103Ein 2s |
|
VTO |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
0.80 |
v |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.18 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=3000A |
25 |
|
|
1.86 |
v |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
v |
||
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
1500 |
mA |
||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
v |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.048 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
v |
|
FM |
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
3660 |
|
g |
Gliederung |
412F3 |
||||||
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