GD600HFX120C6SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich C

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

1108

600

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

4054

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

Ich F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

1.90

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

1.95

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.74

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.62

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

82

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

400

nS

t f

Herbstzeit

192

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

282

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

448

nS

t f

Herbstzeit

290

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

286

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

459

nS

t f

Herbstzeit

299

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

107

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.3

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =125o C

2.05

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =150o C

2.10

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =25o C

23.8

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

260

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.7

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =125o C

65.1

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

293

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.4

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =150o C

76.7

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

306

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -bis -Gehäuse (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g