GD600HFX120C6SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =100o C

1108

600

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

4054

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

W C = 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

W C = 600 A, V GE =15V, T j =125o C

1.90

W C = 600 A, V GE =15V, T j =150o C

1.95

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.74

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.62

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

82

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

400

nS

t f

Herbstzeit

192

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.3

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

282

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

448

nS

t f

Herbstzeit

290

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.3

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

286

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

459

nS

t f

Herbstzeit

299

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

107

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.3

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

W F = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

W F = 600 A, V GE =0V,T j =125o C

2.05

W F = 600 A, V GE =0V,T j =150o C

2.10

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =25o C

23.8

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

260

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =125o C

65.1

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

293

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =150o C

76.7

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

306

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -zu -Fallstudie (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g