IGBT-Modul 1700V

GD50PIX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

1700V 50A

Brand:

Stärken

Spu:

GD50PIX170C6SA

Einführung
Gliederung
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Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1700V 50A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
Mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT-Wechselrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C	100 50	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	100	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C	384	W

Diodenumrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	50	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	100	Ein

Dioden-Rechteckwellenrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	1600	V
I O	Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle	50	Ein
I FSM	Stoßvorwärtsstrom V R =0V,T p =10ms,T j =45 o C	850	Ein
I 2t	I 2t-Wert,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C	3610	Ein 2s

IGBT-Bremse

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C	100 50	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	100	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C	384	W

Diode -bremse

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	50	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	100	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T jmax	Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)	175 150	o C
T - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -wechselrichter Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interne Gate-Widerstands tance			9.5		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		6.02		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.15		nF
Q G	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		163		nS
t r	Aufstiegszeit			44		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			290		nS
t f	Herbstzeit			347		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			12.7		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			7.28		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C		186		nS
t r	Aufstiegszeit			51		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			361		nS
t f	Herbstzeit			535		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.9		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			11.1		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C		192		nS
t r	Aufstiegszeit			52		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			374		nS
t f	Herbstzeit			566		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			20.0		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			12.0		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		200		Ein

Diode -wechselrichter Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =50A,V GE =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V GE =0V,T j =125 o C		1.95
		I F =50A,V GE =0V,T j =150 o C		1.90
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 o C		11.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			48		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			6.08		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 o C		20.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			52		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			11.4		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 o C		23.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			54		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.1		mJ

Diode -gleichrichter Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =50A, V GE =0V, T j =150 o C		1.14		V
I R	Rückstrom	T j =150 o C,V R =1600V			3.0	mA

IGBT -bremse Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			9.5		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		6.02		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.15		nF
Q G	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		163		nS
t r	Aufstiegszeit			44		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			290		nS
t f	Herbstzeit			347		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			12.7		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			7.28		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C		186		nS
t r	Aufstiegszeit			51		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			361		nS
t f	Herbstzeit			535		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.9		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			11.1		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C		192		nS
t r	Aufstiegszeit			52		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			374		nS
t f	Herbstzeit			566		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			20.0		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			12.0		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		200		Ein

Diode -bremse Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =50A,V GE =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V GE =0V,T j =125 o C		1.95
		I F =50A,V GE =0V,T j =150 o C		1.90
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 o C		11.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			48		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			6.08		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 o C		20.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			52		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			11.4		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 o C		23.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			54		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.1		mJ

NTC Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		60		nH
R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’	Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip		4.00 2.00		mΩ
R thJC	Junction -um -Fall (proIGBT -wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier) Junction -um -Fall (proIGBT -bremse ) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-br eak)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	K/W
R thCH	Fall -um -Heizkessel (proIGBT -wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Fall -um -Heizkessel (proIGBT -bremse ) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Dio de-bremse) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		K/W
M	Montagedrehmoment, Schraube: M5	3.0		6.0	N.M
G	Gewicht von Modul		300		g