GD50PIX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

100

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

384

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

50

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

100

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1600

V

I O

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

50

A

I FSM

Stoßvorwärtsstrom V R =0V,T p =10ms,T j =45 o C

850

A

I 2t

I 2t-Wert,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C

3610

A 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

100

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

384

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

50

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

100

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne Gate-Widerstands tance

9.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

163

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

290

nS

t k

Herbstzeit

347

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

7.28

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

186

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

361

nS

t k

Herbstzeit

535

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

192

nS

t r

Aufstiegszeit

52

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

374

nS

t k

Herbstzeit

566

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.0

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =50A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I K =50A,V GE =0V,T j =125 o C

1.95

I K =50A,V GE =0V,T j =150 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

11.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

48

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.08

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

20.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

52

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

23.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

54

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.1

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =50A, V GE =0V, T j =150 o C

1.14

V

I R

Rückstrom

T j =150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

9.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

163

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

290

nS

t k

Herbstzeit

347

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

7.28

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

186

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

361

nS

t k

Herbstzeit

535

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =50A, R G =9,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

192

nS

t r

Aufstiegszeit

52

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

374

nS

t k

Herbstzeit

566

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.0

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =50A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I K =50A,V GE =0V,T j =125 o C

1.95

I K =50A,V GE =0V,T j =150 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

11.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

48

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.08

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

20.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

52

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

23.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

54

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.1

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

60

nH

R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

4.00 2.00

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT -wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier) Junction -bis zu -Fall (proIGBT -bremse )

Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-br eak)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT -wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT -bremse )

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Dio de-bremse) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g