3600V 1700A
Kurze Einführung
IGBT-Modul ,Hochspannung, von Stärken . 1700V 3600A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
v |
IC |
Kollektorstrom@ TC=25℃ Kollektorstrom@ TC=80℃ |
5200 |
Ein |
3600 | |||
ICM(1) |
Pulsierende Kollektorstrom tp= 1ms |
7200 |
Ein |
IF |
Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom |
3600 |
Ein |
IFM |
Diode maximale Vorwärtsstrom |
7200 |
Ein |
PD |
Maximale Verlustleistung @ Tj= 175℃ |
19.7 |
kW |
Tj |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
℃ |
Tstg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
℃ |
VISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
Montage |
Signalterminal-Schraube:M4 Leistungsanschluss-Schraube:M8 |
1.8 bis 2.1 8.0 bis 10 |
N.M |
Drehmoment |
Montageschraube:M6 |
4.25 bis 5.75 |
|
Elektrische Eigenschaften von IGBT t C =25 ℃ es sei denn sonstige Hinweis
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V(BR)CES |
Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung |
Tj=25℃ |
1700 |
|
|
v |
ICES |
Sammler-Abschlusstrom |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
|
400 |
NA |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
VGE(th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃ |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃ |
|
2.00 |
2.45 |
v |
IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃ |
|
2.40 |
2.85 |
Schaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
QG |
Gate-Ladung |
VGE=- 15…+15V |
|
42.0 |
|
μC |
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
Tj=25℃ |
|
0.5 |
|
Ω |
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj=25℃ |
|
730 |
|
NS |
Tr |
Aufstiegszeit |
|
205 |
|
NS |
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
1510 |
|
NS |
|
TF |
Herbstzeit |
|
185 |
|
NS |
|
EON |
Einschalt-Schaltverluste |
|
498 |
|
mJ |
|
EOFF |
Ausschalt-Schaltverluste |
|
1055 |
|
mJ |
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj= 125℃ |
|
785 |
|
NS |
Tr |
Aufstiegszeit |
|
225 |
|
NS |
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
1800 |
|
NS |
|
TF |
Herbstzeit |
|
325 |
|
NS |
|
EON |
Einschalt-Schaltverluste |
|
746 |
|
mJ |
|
EOFF |
Ausschalt-Schaltverluste |
|
1451 |
|
mJ |
|
Cies |
Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
|
317 |
|
NF |
Coes |
Ausgangskapazität |
|
13.2 |
|
NF |
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
10.5 |
|
NF |
|
|
ISC |
SC-Daten |
tSC≤10μs,VGE=15V, Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
14000 |
|
Ein |
LCE |
Streuinduktivität |
|
|
10 |
|
nH |
RCC’+EE ’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
|
0.12 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften der Diode TC=25℃ es sei denn, es ist anders angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
VF |
Diodenvorwärts Spannung |
IF=3600A |
Tj=25℃ |
|
1.80 |
2.20 |
v |
Tj= 125℃ |
|
1.90 |
2.30 |
||||
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
IF=3600A, VR=900V, RGon=0.4Ω, VGE=- 15V |
Tj=25℃ |
|
836 |
|
μC |
Tj= 125℃ |
|
1451 |
|
||||
IRM |
Rückwärts-Rückgewinnungsstrom |
Tj=25℃ |
|
2800 |
|
Ein |
|
Tj= 125℃ |
|
3300 |
|
||||
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
Tj=25℃ |
|
590 |
|
mJ |
|
Tj= 125℃ |
|
1051 |
|
||||
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