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Symbol
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Eigenschaften
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Prüfbedingungen
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Tj(°C ) |
Wert |
Einheit
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Min |
TYP |
Max |
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt |
TC=55 ℃ |
125 |
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2500 |
A |
VDRM |
Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung |
tp=10ms |
125
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800 |
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2000 |
V |
VRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1000 |
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1800 |
V |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
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200 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
125
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29 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
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4205 |
103A2s |
VTO |
Schwellenspannung |
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125
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1.10 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
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0.13 |
mΩ |
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VTM
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Spitzeneinschaltspannung
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ITM=4000A, F=32kN
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15≤tq≤28 |
25
|
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2.20 |
V |
29≤tq≤50 |
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2.00 |
V |
51≤tq≤75 |
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1.80 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
125 |
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend) |
VDM= 67%VDRM,
Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A
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125 |
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1500 |
A/μs |
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V |
125 |
|
750 |
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μC |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
75 |
μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
250 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.9 |
|
2.5 |
V |
IH |
Haltestrom |
20 |
|
1000 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Bei 180 ° sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 32kN |
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0.012 |
。C /W
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Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
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0.003 |
FM |
Montagekraft |
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30 |
|
40 |
kN |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
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-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
130 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
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880 |
|
g |
Gliederung |
KT60cT |
EN
