GD150HCX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

281

150

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

1136

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =150A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =150A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

4.3

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,T vj =25 o C

206

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

337

nS

t k

Herbstzeit

331

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,T vj =125 o C

232

nS

t r

Aufstiegszeit

54

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

422

nS

t k

Herbstzeit

514

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

55.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =±15V, L.S. =48 nH ,T vj =150 o C

239

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

442

nS

t k

Herbstzeit

559

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I K =150A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.95

I K =150A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,T vj =25 o C

42.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,T vj =125 o C

64.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

147

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE =-15V L.S. =48 nH ,T vj =150 o C

72.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

148

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g