DG25X12T2, IGBT diskret, Starter

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 110o C

50

25

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p begrenzt durch T jmax

100

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

573

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-55 bis +150

o C

T S

Lötemperatur 1,6 mm nach unten m Fall für 10er

260

o C

M

Montagedrehmoment, Schraube M3

0.6

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =25A, V GE =15V,

T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =25A, V GE =15V,

T j =125 o C

1.95

I C =25A, V GE =15V,

T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 0,63 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

2.59

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.07

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

0.19

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =25A, R G = 20Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

17

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

196

nS

t f

Herbstzeit

185

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.71

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

1.49

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =25A, R G = 20Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

21

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

288

nS

t f

Herbstzeit

216

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.57

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.21

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =25A, R G = 20Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

22

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

309

nS

t f

Herbstzeit

227

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.78

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.42

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

100

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 25A, V GE =0V,T j =25 o C

2.20

2.65

V

I F = 25A, V GE =0V,T j = 125o C

2.30

I F = 25A, V GE =0V,T j = 150o C

2.25

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

1.43

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

34

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.75

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 125o C

2.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

42

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.61

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 150o C

2.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

44

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.10

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.262

0.495

K/W

R die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W