DG25X12T2, IGBT diskret, Starter

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p begrenzt durch T jmax

100

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

573

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-55 bis +150

o C

T S

Lötemperatur 1,6 mm nach unten m Fall für 10er

260

o C

M

Montagedrehmoment, Schraube M3

0.6

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=25A, V GE =15V,

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V GE =15V,

T j =125o C

1.95

IC=25A, V GE =15V,

T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=0.63mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

2.59

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.07

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

0.19

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=25A, R G= 20Ω,V GE =±15V, T j =25o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

17

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

196

nS

t f

Herbstzeit

185

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

1.71

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

1.49

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=25A, R G= 20Ω,V GE =±15V, T j =125o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

21

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

288

nS

t f

Herbstzeit

216

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.57

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.21

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=25A, R G= 20Ω,V GE =±15V, T j =150o C

28

nS

t r

Aufstiegszeit

22

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

309

nS

t f

Herbstzeit

227

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

2.78

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

2.42

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

100

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 25A, V GE =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF = 25A, V GE =0V,T j = 125o C

2.30

IF = 25A, V GE =0V,T j = 150o C

2.25

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j =25o C

1.43

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

34

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.75

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 125o C

2.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

42

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.61

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 150o C

2.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

44

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.10

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.262

0.495

K/W

R die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W