Y50KFE،ثايريستور غير متماثل للطفء السريع

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj(°C )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب،

TC=55°C

125

1494

أ

TC=70℃

1243

VDRM

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

التوتر العكسي المتكرر

1000

1800

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

80

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

1445

A2s* 103

VTO

الجهد الحدودي

125

1.57

V

rT

مقاومة المنحدر في الحالة

0.21

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=3000A، F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

V

29μs≤tq≤55μs

2.10

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67%VDRM إلى 1600A،

نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM= 1000A،tp=4000μs، di/dt=-20A/μs، VR= 100V

125

750

ميكروسانتيرول

Tq

زمن إيقاف الدائرة المحولة

ITM= 1000A،tp=4000μs، VR= 100V dv/dt=30V/μs ،di/dt=-20A/μs

125

15

55

ميكروثانية

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

40

300

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.9

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

20

500

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 1800 سين، الجانب المزدوج تبرد قوة التشنج 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.005

فم

قوة التركيب

19

26

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

℃

و

الوزن

440

g

المخطط

KT50cT