Y50KFE،ثايريستور غير متماثل للطفء السريع

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj(°C )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب،

TC=55°C

125

1494

أ

TC=70℃

1243

VDRM

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف

tp=10ms

125

1200

2000

الخامس

VRRM

التوتر العكسي المتكرر

1000

1800

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

80

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

1445

A2s* 103

VTO

الجهد الحدودي

125

1.57

الخامس

rT

مقاومة المنحدر في الحالة

0.21

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=3000A، F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

الخامس

29μs≤tq≤55μs

2.10

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67%VDRM إلى 1600A،

نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM= 1000A،tp=4000μs، di/dt=-20A/μs، VR= 100V

125

750

ميكروسانتيرول

tq

زمن إيقاف الدائرة المحولة

ITM= 1000A،tp=4000μs، VR= 100V dv/dt=30V/μs ،di/dt=-20A/μs

125

15

55

ميكروثانية

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

40

300

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.9

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

20

500

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.3

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 1800 سين، الجانب المزدوج تبرد قوة التشنج 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.005

فم

قوة التركيب

19

26

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

℃

و

الوزن

440

g

المخطط

KT50cT