Y50KAD، ثايريستور التردد العالي

أنا T(AV)

1260أ

الخامس DRM ، V RRM

1200V 1400V

tq

12~28μs

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب،

TC=55 。ج

125

1260

أ

VDRM VRRM

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف جهد الذروة العكسي المتكرر

tp=10ms

125

1100

1400

الخامس

Idrm Irrm

التيار المتكرر القصوى خارج الحالة التيار العكسي القصوى المتكررة

عند VDRM عند VRRM

125

80

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

1328

A2s*103

VTO

الجهد الحدودي

125

1.65

الخامس

rT

مقاومة انزلاق الحالة النشطة

0.36

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=2400A، F=24kN

25

3.20

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67% VDRM، إلى 2000A

نبضات البوابة tr ≤ 0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM=1000A، tp=4000µs، di/dt=-20A/µs، VR=100V

125

87

100

ميكروسانتيرول

tq

زمن إيقاف الدائرة المحولة

ITM=1000A، tp=4000μs، VR=100V dv/dt=30V/μs، di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

250

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

20

400

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.3

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 1800 سين، الجانب المزدوج تبرد قوة التشنج 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.005

فم

قوة التركيب

19

26

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

。ج

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

。ج

و

الوزن

440

g

المخطط

KT50cT