Y50KAD، ثايريستور التردد العالي

أنا T(AV)

1260أ

V DRM ، V RRM

1200V 1400V

Tq

12~28μs

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب،

TC=55 。ج

125

1260

أ

VDRM VRRM

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف جهد الذروة العكسي المتكرر

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

التيار المتكرر القصوى خارج الحالة التيار العكسي القصوى المتكررة

عند VDRM عند VRRM

125

80

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

1328

A2s*103

VTO

الجهد الحدودي

125

1.65

V

rT

مقاومة انزلاق الحالة النشطة

0.36

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=2400A، F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67% VDRM، إلى 2000A

نبضات البوابة tr ≤ 0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM=1000A، tp=4000µs، di/dt=-20A/µs، VR=100V

125

87

100

ميكروسانتيرول

Tq

زمن إيقاف الدائرة المحولة

ITM=1000A، tp=4000μs، VR=100V dv/dt=30V/μs، di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

250

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

20

400

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 1800 سين، الجانب المزدوج تبرد قوة التشنج 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.005

فم

قوة التركيب

19

26

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

。ج

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

。ج

و

الوزن

440

g

المخطط

KT50cT