MTx600 MFx600 MT600، وحدات الثريستور / الديود، تبريد بالماء

V RRM ، V DRM

النوع المخطط

600V

MT2 إدارة المعلومات

MFx600-06-406F3

800 فولت

MT2 إدارة المعلومات

MFx600-08-406F3

1000V

MTx600-10-406F3

MFx600-10-406F3

1200 فولت

MTx600-12-406F3

MFx600-12-406F3

1400V

MTx600-14-406F3

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MTx600-18-406F3

MFx600-18-406F3

1800V

MT618-46F3G

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃)

القيمة

الوحدة

دقيقة

نوع

أقصى حد

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180°نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، THS=55 。ج

125

600

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

942

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

45

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصين

125

16.0

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

1280

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.85

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.30

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=1800A

25

1.90

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.085

℃/W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.040

℃/W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

V

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12

14

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

1580

ج

المخطط

406F3