مقدمة موجزة
موديول ثريستور/دايوود، MTx 400 الـ MFx 400 MT400，400أ ,تبريد المياه ，تم إنتاجه بواسطة TECHSEM .
VRRM,VDRM |
النوع والمخطط |
600V |
MT4 مادة حيوية |
MFx400-06-405F3 |
800 فولت |
MT4 مادة حيوية |
MFx400-08-405F3 |
1000V |
MTx400-10-405F3 |
MFx400-10-405F3 |
1200 فولت |
MTx400-12-405F3 |
MFx400-12-405F3 |
1400V |
MTx400-14-405F3 |
MFx400-14-405F3 |
1600V |
MTx400-16-405F3 |
MFx400-16-405F3 |
1800V |
MTx400-18-405F3 |
MFx400-18-405F3 |
1800V |
MT450-4004 |
|
MTx يعني أي نوع MTC ,MTA ,MTK
MFx يقف على أي نوع الـ MFC ,خارجية ,المطار
المزايا
- قاعدة تركيب معزولة 3000V~
- تقنية الاتصال بالضغط مع
- زيادة قدرة دورة الطاقة
- توفير المساحة والوزن
التطبيقات النموذجية
- محركات محركات AC/DC
- مقومات متنوعة
- إمدادات التيار المباشر لتحويل PWM
|
الرمز
|
الخصائص
|
ظروف الاختبار
|
Tj( ℃) |
القيمة |
الوحدة
|
دقيقة |
نوع |
أقصى حد |
(IT)) |
متوسط تيار الحالة النشطة |
180。نصف موجة الصين 50 هرتز
تبريد جانب واحد، THS=55 ℃
|
125
|
|
|
400 |
أ |
IT ((RMS) |
تيار الحالة RMS |
|
|
628 |
أ |
Idrm Irrm |
تيار الذروة المتكرر |
عند VDRM عند VRRM |
125 |
|
|
35 |
م.أ. |
ITSM |
تيار الحالة النشطة المفاجئ |
VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر |
125 |
|
|
12.5 |
kA |
I2t |
I2t لتنسيق الفيوز |
125 |
|
|
781 |
103A2s |
VTO |
الجهد الحدودي |
|
125
|
|
|
0.80 |
V |
rT |
مقاومة ميل الحالة النشطة |
|
|
0.80 |
mΩ |
VTM |
جهد الذروة في الحالة النشطة |
ITM=1200A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
dv/dt |
معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي |
مصدر البوابة 1.5A
tr ≤0.5μs متكرر
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
إيه جي تي |
تيار تحفيز البوابة |
VA=12V، IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
م.أ. |
Vgt |
جهد تحفيز البوابة |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
تيار الاحتفاظ |
10 |
|
200 |
م.أ. |
إيل |
تيار التثبيت |
|
|
1000 |
م.أ. |
VGD |
جهد البوابة غير المحفز |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.11 |
℃/W |
Rth(c-h) |
مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.04 |
℃/W |
فيزو |
فولتاج العزل |
50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى) |
|
3000 |
|
|
V |
|
فم
|
عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12) |
|
|
12 |
|
14 |
ن·م |
عزم التركيب (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
ن·م |
تيفي |
درجة حرارة الوصلة |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
درجة حرارة التخزين |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
و |
الوزن |
|
|
|
1060 |
|
ج |
المخطط |
405F3 |
EN
