جميع الفئات

EN

تيرستور التحكم في المرحلة

تيرستور التحكم في المرحلة

الصفحة الرئيسية / المنتجات / مُستقيم كبسولي من النوع ديود / ثريستور التحكم بالمرحلة

تيرستور التحكم في المرحلة

H125KPU، ثايرستور التحكم في الطور

H125KPU، ثايرستور التحكم في الطور

H125KPU، ثايرستور التحكم في الطور

H125KPU، ثايرستور التحكم في الطور

H125KPU، ثايرستور التحكم في الطور

رقم الجزء H125KPU-KT110dT

Brand:

تكنولوجيا SEM

Spu:

H125KPU-KT110dT

Appurtenance:

كتيب المنتج:تنزيل

مقدمة
المخطط

مقدمة

(IT))

2800أ

VDRM، VRRM

8000V

8500V

الميزات ：

بوابة تضخيم مركزية
علبة معدنية مع عازل سيراميكي
خسائر منخفضة في حالة التشغيل والتبديل

التطبيقات النموذجية ：

وحدات التحكم AC
التحكم في محركات التيار المستمر والمتردد
مقومات التحكم

الرمز	الخصائص	ظروف الاختبار		Tj(°C )	القيمة			وحدة
الرمز	الخصائص	ظروف الاختبار		Tj(°C )	دقيقة	النوع	الحد الأقصى	وحدة
(IT))	متوسط تيار الحالة النشطة	180。نصف موجة الصين 50 هرتز بطء الجانبين	TC=55 。ج	90			2800	أ
IDRM إدارة التداول	ذروة متكررة التيار	عند VDRM tp= 10 مللي ثانية عند VRRM tp= 10 مللي ثانية		90			700	م.أ.
ITSM	تيار الحالة النشطة المفاجئ	10 مللي ثانية نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM		90			40	kA
أنا 2،	أنا 2t لتنسيق الانصهار	10 مللي ثانية نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM		90			8000	103أ 2س
VTO	الجهد الحدودي			90			0.92	الخامس
rT	مقاومة ميل الحالة النشطة			90			0.32	mΩ
VTM	جهد الذروة في الحالة النشطة	ITM=3000A، F= 120kN		25			1.95	الخامس
dv/dt	معدل الزيادة الحرجة أكسجين f حالة الإيقاف الجهد الكهربائي	VDM=0.67VDRM		90			2000	V/μs
di/dt	معدل الارتفاع الحرج ز في الحالة النشطة التيار	VDM=67%VDRM، نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM= 1.5A		90			100	A/μs
قصر	رسوم الاسترداد	ITM=2000A، tp=4000μs، di/dt=-5A/μs, VR=50V		90		6500		ميكروسانتيرول
إيه جي تي	تيار تحفيز البوابة	VA= 12V، IA= 1 أمبير		25	40		300	م.أ.
Vgt	جهد تحفيز البوابة				0.8		3.0	الخامس
أنا التسخين والطهي في البيئات الخاصة	تيار الاحتفاظ				25		200	م.أ.
VGD	جهد البوابة غير المحفز	VDM=67%VDRM		90			0.3	الخامس
Rth(j-c)	المقاومة الحرارية الوصلة إلى العلبة	بطء الجانبين قوة التثبيت 120kN					0.004	。ج /W
Rth(c-h)	المقاومة الحرارية حالة إلى مبدد الحرارة	بطء الجانبين قوة التثبيت 120kN					0.001	。ج /W

المخطط

منتج مرتبط

GD200HFX120C2SA_B36,وحدة IGBT,STARPOWER

GD200HFX120C2SA_B36,وحدة IGBT,STARPOWER

IDG75X12T2، IGBT منفصل، STARPOWER

IDG75X12T2، IGBT منفصل، STARPOWER

H76ZYR، ثنائي الوصول الناعم

H76ZYR، ثنائي الوصول الناعم

Y75ZPA-B، دايود لحام بدون غلاف 18000 فولت 400 فولت مثالي للمستقيمات ذات التيار العالي جدًا منخفض جدًا في الجهد العتبة ومقاومة الميل منخفض جدًا في المقاومة الحرارية تطبيقات نموذجية تطبيقات ذات تيار عالي لآلات اللحام حتى 2000 هرتز طلاء الأقطاب الكهربائية

Y75ZPA-B، دايود لحام بدون غلاف 18000 فولت 400 فولت مثالي للمستقيمات ذات التيار العالي جدًا منخفض جدًا في الجهد العتبة ومقاومة الميل منخفض جدًا في المقاومة الحرارية تطبيقات نموذجية تطبيقات ذات تيار عالي لآلات اللحام حتى 2000 هرتز طلاء الأقطاب الكهربائية

MDS100، وحدات جسر التصحيح ثلاثية المراحل

MDS100، وحدات جسر التصحيح ثلاثية المراحل

GD400CLU120C2SD، وحدة IGBT، STARPOWER

GD400CLU120C2SD، وحدة IGBT، STARPOWER

هل لديك أسئلة عن أي منتجات؟

فريق المبيعات المحترف لدينا ينتظر استشارتك.
يمكنك متابعة قائمة منتجاتهم و طرح أي أسئلة تهمك