MTx400 MFx400 MT400، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالماء

الخامس RRM ، V DRM

نوع & مخطط

2000 فولت

2200 فولت

2500 فولت

2500 فولت

MTx400-20-405F3

MTx 400-22-405F3

MTx 400-25-405F3

MT425-405F3G

MFx400-20-405F3

MFx400-22-405F3

MFx400-25-405F3

MTx تعني أي نوع من (ميتش) MTA MTK

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=55 。ج

125

400

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

628

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

45

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t= 10ms نصف الصدر،

125

11

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

605

10³A2 ^س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.82

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.79

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM= 1200A

25

2.18

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.11

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.04

℃ /W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

الخامس

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12

14

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

1060

g

المخطط

405F3