MTx1000 MFx1000 MT1000، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالهواء

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

600V

MT2 إدارة المعلومات

MFx1000-06-412F3

800 فولت

MT2 إدارة المعلومات

MFx1000-08-412F3

1000V

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-10-412F3

1200 فولت

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-12-412F3

1400V

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-14-412F3

1600V

MTx1000-16-412F3

MFx1000-16-412F3

1800V

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-18-412F3

1800V

MT3معدل التشغيل

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=65 ℃

125

1000

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

1570

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

55

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60%VRRM، t=10ms نصف الصدر،

125

26.0

kA

أنا ²ت

I2t لتنسيق الفيوز

125

3380

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.80

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.18

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=3000A

25

1.86

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.020

℃ /W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

الخامس

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12.0

16.0

ن·م

عزم الدوران التثبيت ((M8)

10.0

12.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

3660

g

المخطط

412F3