MTx1000 MFx1000 MT1000، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالهواء

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

2000 فولت

2200 فولت

2500 فولت

2500 فولت

MT3 إدارة المعلومات

MT3 إدارة المعلومات

MT3 إدارة المعلومات

MT3المنطقة

MFx1000-20-412F3

MFx1000-22-412F3

MFx1000-25-412F3

MTx تعني أي نوع من MTC، MTA، MTK

MFx يعني أي نوع من MFC، MFA، MFK

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃)

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180°نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=55 ℃

125

1000

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

1570

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

60

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر

125

18

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

1620

103A2s

VTO

الجهد الحدودي

125

0.85

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.24

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=3000A

25

2.40

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

20

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.048

℃/W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.030

℃/W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

الخامس

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12

16

ن·م

عزم الدوران التثبيت ((M8)

10

12

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

3660

g

المخطط

412F3