MT200، وحدات الثايرستور (نوع غير معزول)، TECHSEM

VDRM، VRRM

النوع والمخطط

800 فولت

MT200-08-210F2NA

MT200-08-210F2NK

1000 فولت

MT200-10-210F2NA

MT200-10-210F2NK

1200 فولت

MT200-12-210F2NA

MT200-12-210F2NK

1400V

MT200-14-210F2NA

MT200-14-210F2NK

1600V

MT200-16-210F2NA

MT200-16-210F2NK

1800V

MT200-18-210F2NA

MT200-18-210F2NK

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

18درجة نصف موجة الصين 50 هرتز طرف واحد مبرد، Tc = 90 ℃

125

200

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

125

314

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

12

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=60%VRRM

125

5.2

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

135

10³A2s

VTO

الجهد الحدودي

125

0.80

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

1.15

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

100

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

150

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

2.5

V

IH

تيار الاحتفاظ

20

120

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

سائل من جانب واحد

0.13

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

سائل من جانب واحد

0.10

℃ /W

فم

عزم ربط الطرف (M6)

4.5

6.0

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

185

g

المخطط

210F2NA، 210F2NK