Зі швидким розвитком електромобілів, відновлюваних джерел енергії, промислової автоматизації та передових силових електронних систем карбід кремнію (SiC) стає важливою технологією для наступного покоління високоефективних силових систем.
Порівняно з традиційними приладами на основі кремнію, прилади на основі SiC мають кілька технічних переваг, зокрема вищу частоту перемикання, нижчі втрати при перемиканні, вищу температурну стійкість та покращену щільність потужності. Ці характеристики сприяють підвищенню ефективності системи, зниженню енергоспоживання та забезпечують більш компактне й легке конструювання систем.
Щоб задовольнити зростаючий ринковий попит на високопродуктивні силові напівпровідникові прилади, ми розширюємо асортимент нашої продукції, включаючи повний спектр приладів SiC пРОДУКТИ та рішень. Наша лінійка продукції SiC включає:
Модулі SiC MOSFET
Дискретні прилади SiC MOSFET
Шоттківські бар’єрні діоди (SBD) на основі SiC
Повні силові рішення на основі SiC
Наша продукція може застосовуватися в широкому колі галузей та сфер використання, зокрема:
Електромобілі (EV)
Системи зберігання енергії (ESS)
Сонячні інвертори
Промислові інвертори та приводи двигунів
Системи зарядки електромобілів
Обладнання для забезпечення електропостачею
Системи промислової автоматизації
Залізничні та високопотужні промислові застосування
Ми розуміємо, що вимоги клієнтів щодо продуктивності, типів корпусів, оптимізації вартості та застосування умов експлуатації можуть відрізнятися. Тому, крім стандартних продуктів, ми також прагнемо надавати клієнтам підтримку у виборі продуктів та їхньому підборі під конкретні проєктні вимоги.
Оскільки технологія карбіду кремнію (SiC) продовжує розвиватися й набувати все більшого поширення на світовому ринку, ми сподіваємося співпрацювати з клієнтами та партнерами по всьому світу, щоб надавати надійні й ефективні напівпровідникові силові рішення на основі SiC для майбутніх енергетичних та промислових застосувань.
SCE900N1200ED
Модуль SiC
Характеристики
- Робота при високій температурі, вологості та постійному смещенні
- Наднизькі втрати
- Робота високої частоти
- Нульовий струм відключення («хвіст») у MOSFET
- Пристрій з нормально закритим станом і безпечним режимом роботи у разі відмови
- Мідна підкладка та ізолятор з алюміній нітриду
Застосування
- Високопотужні перетворювачі
- Приводи двигунів
- Сервоприводи
- Системи ДПАЧ
- Вітрові турбіни
Символ |
Параметр |
Значення |
Одиниця |
Випробування Умови |
Абсолютний максимум рейтинг |
V Дс |
Напруга між дреном та сорцем |
1200 |
V |
T C =25°C |
Я D |
Струм стоку (постійний) |
900 |
А |
T C =25°C |
T J |
Температура перетину |
175 |
。C |
|
Символ |
Параметр |
Хв. |
Тип. |
Макс. |
Одиниця |
Випробування Умови |
Статична характеристика ics |
Прут RСИ(нас) |
Статичний струм сток-витік увімкнено Опір |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V GS =18 В; Я D =450 А; T C =25°C |
Динамічні характеристики |
Q Г |
Загальна ємність затвора Заряд |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800 В; V GS =-5/+18 В; Я D =450 А; T C =25°C |
Q GD |
Заряд між воротами та дреном |
- |
705 |
- |
Діод сток-витік |
Q Рр |
Обертаний відновлення Заряд |
- |
5517 |
- |
nC |
V GS =-5/+18 В; Я F =500 А; V Прут =900 В; Навантаження = 100 мкГн; T J =25°C |
Абсолютно Максимальний Рейтинги (у T C =25°C якщо тільки інакше вказано )
EN
