Усі категорії
Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Модуль IGBT 1200V

Модуль IGBT 1200V

Головна сторінка/Продукти/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD200FFY120C6SF, IGBT Модуль, STARPOWER

1200В 200А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200FFY120C6SF
  • Вступ
  • Контур
  • Схема еквівалентного кола
Вступ

Коротке представлення

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER. 1200В 200А.

Особливості

  • Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
  • VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
  • Малі втрати від переходу
  • Максимальна температура з'єднання 175℃
  • Низька індуктивність корпусу
  • Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
  • Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

  • Виключення режиму живлення
  • Індуктивне опалення
  • Електронний зварчик

Абсолютно Максимальний Рейтинги T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

І C

Струм колектора @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

А

І См

Імпульсний колекторний струм t p =1 мс

400

А

PD

Максимальна потужність розсіювання @ T =175o C

1056

Ш

Диод

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

В РРМ

Повернення пікового напруження

1200

В

І F

Диодний безперервний прохідний крив оренда

200

А

І ЗМ

Максимальний прямий струм діода t p =1 мс

400

А

Модуль

Символ

ОПИС

Значення

ОДИНИЦЯ

T jmax

Максимальна температура перетину

175

o C

T джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура зберігання Лінійка

-40 до +125

o C

В ISO

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 хВИЛИНА

4000

В

IGBT Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

І C=200A,V ГЕ =15В, T j =25o C

1.90

2.35

В

І C=200A,V ГЕ =15В, T j = 125o C

2.40

І C=200A,V ГЕ =15В, T j =150o C

2.55

В ГЕ (th)

Порог шлюзового випромінювача Напруга

І C=5.0mA ,В СЕ =В ГЕ , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

В

І CES

Колекціонер Розрізаний ЗВІЛЕНО

Струм

В СЕ =В CES ,В ГЕ =0V,

T j =25o C

1.0

mA

І ГЕС

Витік шлюзового емітера Струм

В ГЕ =В ГЕС ,В СЕ =0V, T j =25o C

100

нА

Прут Гінт

Внутрішня ворота опору ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

3.75

о

Cies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

20.7

нФ

Cres

Обратний перевод

Кваліфікація

0.58

нФ

QG

Зарахування за ворота

В ГЕ =- 15...+15В

1.55

мК

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=0.75Ω,V ГЕ =±15В, T j =25o C

374

n

t прут

Час підйому

50

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

326

n

t f

Час осені

204

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

13.8

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

10.4

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=0.75Ω,V ГЕ =±15В, T j = 125o C

419

n

t прут

Час підйому

63

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

383

n

t f

Час осені

218

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

20.8

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

11.9

mJ

t d (увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C=200A, Прут G=0.75Ω,V ГЕ =±15В, T j = 150o C

419

n

t прут

Час підйому

65

n

t d (зВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

388

n

t f

Час осені

222

n

Eувімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

22.9

mJ

EзВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

11.9

mJ

Диод Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

В F

Диод наперед

Напруга

І F =200A,V ГЕ =0V,T j =25o C

1.90

2.35

В

І F =200A,V ГЕ =0V,T j = 125o C

1.90

І F =200A,V ГЕ =0V,T j = 150o C

1.90

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЕ =- 15В T j =25o C

10.2

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

90

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

3.40

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЕ =- 15В T j = 125o C

26.2

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

132

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

9.75

mJ

Qпрут

Відшкодований заряд

В Прут = 600 В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЕ =- 15В T j = 150o C

30.4

мК

І RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

142

А

Eрекомендації

Обертаний відновлення Енергія

11.3

mJ

Модуль Характеристики T C=25o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Хв.

Тип.

Макс.

ОДИНИЦЯ

LСЕ

Індуктивність відхилення

15

nH

Прут CC+EE

Модуль олівцевого опору, Термінал до чіпа

0.25

Прут thJC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

З'єднання до корпусу (на D) йод)

0.142

0.202

К/В

Прут thCH

Категорія до теплового раковини (на IGBT)

Категорія до теплового раковини (p) ер Діод)

Корпус до радіатора (за М одулем)

0.034

0.048

0.010

К/В

Хв

Термінальний момент підключення, Шуруп M6 Монометричний момент; Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вага з Модуль

300

g

Контур

Схема еквівалентного кола

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Пов’язаний товар

Є питання щодо будь-яких продуктів?

Наша професійна команда продажів чекає на ваші консультації.
Ви можете слідкувати за їхнім списком продуктів і задавати будь-які питання, які вас цікавлять.

Отримати цитату

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000

Отримати безкоштовну цитату

Наш представник зв’яжеться з вами найближчим часом.
Ел. пошта
Ім’я
Назва компанії
Повідомлення
0/1000