модуль одноразового ігбта
Одиночний модуль IGBT є проривом в електроніці потужності, поєднуючи високоефективні комутаційні можливості з надійною роботою під високим навантаженням у компактному корпусі. Цей інноваційний модуль об'єднує транзистор з ізольованого затвору (IGBT) з оптимізованою схемою керування затвором і функціями захисту, забезпечуючи виняткову продуктивність у перетворенні електроенергії. Конструкція модуля включає передові рішення для теплового управління, що дозволяє йому витримувати значні електричні навантаження, зберігаючи оптимальну температуру роботи. З частотами перемикання від 1 кГц до 100 кГц ці модулі ефективно керують напругою від 600 В до 6500 В і струмами до кількох сотень ампер. Архітектура одиночного модуля IGBT включає діоди зворотного паралельного включення, які забезпечують плавне протікання струму та мінімізують втрати при комутації. Його ізольована конструкція основної плати підвищує теплопровідність і електричну ізоляцію, що робить його ідеальним для різноманітних промислових застосувань. Модуль оснащений вбудованими датчиками температури та механізмами захисту від короткого замикання, що забезпечує комплексну безпеку системи. Поширені застосування включають регульовані електроприводи, сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення та системи зарядки електромобілів, де надійний контроль потужності та енергоефективність мають ключове значення.