модуль з подвійним ігбтом
Модуль з подвійним IGBT (транзистором з ізольованого затвору) представляє значний прогрес у силовій електроніці, поєднуючи два IGBT-пристрої в одному корпусі для підвищення продуктивності та ефективності. Цей складовий компонент є основою сучасних систем перетворення та керування електроенергією. Модуль об'єднує два IGBT з діодами зворотного струму, що забезпечують ефективне перемикання та контроль струму в обох напрямках. Працюючи на високих частотах при низьких втратах перемикання, ці модулі зазвичай витримують напругу від 600 В до 6500 В та струм від 50 А до 3600 А. Подвійна конфігурація дозволяє використовувати різні топології схем, у тому числі напівмостові, які є ключовими для перетворювачів. Системи передового теплового керування, у тому числі прямий мідний зв'язок і сучасні технології корпусування, забезпечують оптимальне відведення тепла та надійність. Конструкція модуля включає поліпшені ланцюги керування затвором, що забезпечують точний контроль перемикання та захист від перевантажень за струмом і короткого замикання. Ця технологія широко використовується в промислових електроприводах, системах відновлюваної енергії, джерелах безперебійного живлення та силових установках електромобілів, де важливі висока ефективність і надійність.