MTx800 MFx800 MT800, Thyristor/Diode Modülleri, Su Soğutması

VDRM VRRM,

Tip & Kontur

800V

MT3 birimleri

MFx800-08-414S3

1000V

MT3 birimleri

MFx800-10-414S3

1200V

MT3 birimleri

MFx800-12-414S3

1400V

MT3 birimleri

MFx800-14-414S3

1600V

MT3

MFx800-16-414S3

1800V

MT3

MFx800-18-414S3

1800V

MT3Bölüm

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj(℃)

Değer

Birim

Min

TUR

Max

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180。yarım sinüs dalgası 50Hz Tek taraflı soğutulmuş, Tc=55°C

125

800

A

IT(RMS)

RMS iletken durum akımı

180° yarım sinüs dalgası 50Hz

1256

A

Idrm Irrm

Tekrarlayan tepe akımı

vDRM'de VRRM'de

125

120

mA

ITSM

Ani açık durum akımı

10ms yarı sinüs dalgası, VR=0V

125

16

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

1280

A ²s* 10 ³

VTO

Sınır Voltajı

135

0.80

V

rt

Açık durum eğim direnci

0.26

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM= 1500A

25

1.45

V

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

Kapı kaynağı 1.5A

tr ≤0.5μs Tekrarlayıcı

125

200

A/μs

tgd

Geçit kontrolü gecikme süresi

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

tq

Devre anahtarlamalı kapama süresi

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

125

250

μs

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.8

3.0

V

IH

Tutma akımı

10

300

mA

İL

Kilitleme akımı

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

mA

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

IGD

Çıkartma kapısı olmayan akım

VDM=67%VDRM

125

5

mA

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

Her çip için tek taraflı soğutma

0.065

°C/W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

Her çip için tek taraflı soğutma

0.020

°C/W

VISO

İzolasyon voltajı

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Terminal bağlantı torku(M10)

10.0

12.0

N·m

Montaj torku (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

℃

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

125

℃

Wt

Ağırlık

2100

g

Çizelge

414S3