IGBT Modülü 4500V

YMIF1200-45, IGBT Modülü, Tek Anahtarlı IGBT, CRRC

YMIF1200-45, IGBT Modülü, Tek Anahtarlı IGBT, CRRC

4500V 1200A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1200-45/TIM1200ASM45-PSA011

Giriş
Çizelge

Giriş

Kısa giriş:

YT tarafından özelleştirilmiş üretim, StakPak Paketi ,IGBT modülü fWD ile .

Ana Parametreler

VCES	4500		V
VCE (sat)	(Tip)	2.30	V
Ic	(Maks)	1200	A
ICRM)	(Maks)	2400	A

Tipik Uygulamalar

Traction drives
Motor Kontrol Cihazları
Akıllı Şebeke
Yüksek Güvenilirlik İnvertörü

Özellikler

AISiC Taban Plakası
AIN Alt Tabakalar
Yüksek Termal Döngü Kapasitesi
10μ kısa Devre Dayanımı
Düşük Ve(sat) cihazı
Yüksek akım yoğunluğu

Mutlak Maksimum Değerlendirme Aksi belirtilmedikçe Tcase=25℃

符号 (Sembol)	参数名称 (Parametre)		测试条件 (Test Koşulları)			数值 (değer)		单位 (Birim)
VCES	集电极 -emisyon Elektrodu Voltajı Toplayıcı-Sütücü Voltajı		VGE=OV, Tvj=25℃			4500		V
VGES	kapı -emisyon Elektrodu Voltajı Kapı-Emitör Voltajı					±20		V
Ic	集电极电流 (Küçük elektrik) Toplayıcı-Sütücü Voltajı		Tvj=125℃, Tcase=85℃			1200		A
IC(PK)	集电极峰值电流 Zirve kollektör akımı		1ms			2400		A
Pmax	transistör Bölümünde Maksimum Kaybı Max. transistör güç kaybı		Tvj=125℃, Tcase=25℃			12.5		kw
I²t	diyot ²t 值 Diyot I²t		VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃			530		kA²s
Visol	绝缘 elektrik basıncı (模块 ) İzolasyon voltajı - modül başına		tüm terminalleri kısa devre yapın, terminal ile temel plaka arasında voltaj uygulayın (Taban plakası ile ortak terminaller), AC RMS, 1 dk, 50Hz			10200		V
QPD	局部放电电荷 (模块 ) Kısmi deşarj - modül başına		IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS			10		pC
sürünme mesafesi		Sızma mesafesi			56mm
i̇zolasyon Aralığı		Tasfiye			26mm
sızıntı Akımı Dayanım İndeksi		CTI (Kritik İzleme İndeksi)			>600
Termal & Mekanik Veriler
符号 (Sembol)	参数名称 (Parametre)			测试条件 (Test Koşulları)		minimum (Min)	maksimum (Maks)	单位 (Birim)
Rh(J-C)IGBT	GBT kasa termal direnci Termal direnç - IGBT			kesit Kasa Sürekli Güç Kaybı Sürekli deşarj - birleşimden kasa			8	K/kW
Rh(J-C)Diyot	diyot kesit kasa termal direnci Termal direnç - diyot			kesit Kasa Sürekli Güç Kaybı Sürekli deşarj - birleşimden kasa			16	K/kW
Rt(C-H)	temas termal direnci (模块 ) Termal direnç- kasa ile soğutucu (modül başına)			montaj gücü 5Nm( termal macun 1W/m · ℃) Montaj torku 5Nm (montaj yağı ile 1W/m · ℃)			6	K/kW
Tv	结温 Çapraz sıcaklık			IGBT bölüm (IGBT)			125	℃
				diyot bölümü (Diyot)			125	℃
TSTG	depolama sıcaklığı Depolama sıcaklık aralığı					-40	125	℃
M	montaj gücü Vida torku			montaj sıkıştırma için -M6 Montaj -M6			5	Nm
				devre bağlantısı için -M4 Elektrik bağlantıları -M4			2	Nm
				devre bağlantısı için -M8 Elektrik bağlantıları -M8			10	Nm

Elektrik Özellikleri s

Aksi belirtilmedikçe Tcase=25℃
符号 (Sembol)		参数名称 (Parametre)	条件 (Test Koşulları)		en küçük (Min)	tipik (Tip)	en büyük (Maks)	birim (Birim)
ICES		集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı) Kollektör kesme akımı	VGE=OV,VcE=VCES				1	mA
ICES		集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı) Kollektör kesme akımı	VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C				90	mA
IGES		极漏电流 (Hızlı akış) Kapı sızıntı akımı	VGE=±20V,VcE=0V				1	μA
VGE (th)		kapı -emiter eşik voltajı Kapı eşik voltajı	Ic=120mA,VGE=VCE		5.0	6.0	7.0	V
VCE(sa)		集电极 -emiter doygunluk voltajı Kollektör-emiter doygunluğu voltaj	VGE=15V,Ic=1200A			2.3	2.8	V
VCE(sa)			VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C			3.0	3.5	V
IF		diyot doğru akım akışı Diyot ileri akımı	DC			1200		A
IFRM		diyot ileri tekrar tepe akımı Diyot maksimum ileri akımı	tp=1ms			2400		A
vF(1		diyot ileri voltajı Diyot ileri voltajı	/F=1200A			2.4	2.9	V
vF(1		diyot ileri voltajı Diyot ileri voltajı	/F=1200A,Tvj=125°C			2.7	3.2	V
- Evet.		giriş elektrik kapasitesi Girdi Kapasitesi	VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz			135		nF
Q₉		极电荷 Geçit Ücreti	±15V			11.9		μC
Cres		ters yönlü aktarım kapasitesi Ters transfer kapasitansı	VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz			3.4		nF
LM		modül endüktansı Modül endüktansı				10		nH
RINT		i̇ç direnç Dahili transistör direnci				90		μΩ
Isc		kısa devre akımı Kısa devre akımı,Isc	Tvj=125°C,Vcc=3400V, VGE≤15V,tp≤10μs, VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt, IEC 60747-9			5300		A
td(of)	kapatma gecikmesi Kapatma gecikme süresi			Ic=1200A VcE=2800V Cge=220nF L ～ 180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RG(OFF)=2.7Ω		2700		ns
tF	düşen zaman Sonbahar zamanı					700		ns
Eof	kapatma kaybı Kapatma enerji kaybı					5800		mJ
tdon)	开通延迟时间 Açma Gecikme Zamanı					720		ns
t	升时间 Kalkma zamanı.					270		ns
Eon	açma kaybı Açma enerji kaybı					3200		mJ
Qm	diyot ters iyileşme yükü Diyot ters geri yükleme yükü			/F=1200A VcE =2800V dip/dt =5000A/us		1200		μC
Ben	diyot ters iyileşme akımı Diyot ters geri yükleme akımı					1350		A
Erec	diyot ters iyileşme kaybı Diyot ters geri yükleme enerjisi					1750		mJ
td(of)	kapatma gecikmesi Kapatma gecikme süresi			Ic=1200A VcE =2800V Cge=220nF L ～ 180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RGOFF)=2.7Ω		2650		ns
tF	düşen zaman Sonbahar zamanı					720		ns
Eof	kapatma kaybı Kapatma enerji kaybı					6250		mJ
tdon)	开通延迟时间 Açma Gecikme Zamanı					740		ns
t	升时间 Kalkma zamanı.					290		ns
Eon	açma kaybı Açma enerji kaybı					4560		mJ
Q	diyot ters iyileşme yükü Diyot ters geri yükleme yükü			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1980		μC
Ben	diyot ters iyileşme akımı Diyot ters geri yükleme akımı			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1720		A
Erec	diyot ters iyileşme kaybı Diyot ters geri yükleme enerjisi					3250		mJ