Sembolik
|
Karakteristik
|
Test koşulları
|
T j (°C) ) |
Değer |
Birim
|
Min |
TUR |
Max |
Ben T (AV ) |
Ortalama açık durum akımı |
180。yarım sinüs dalgası 50Hz Çift taraflı soğutmalı, |
T C =55°C |
125 |
|
|
1200 |
A |
T C =70°C |
125 |
|
|
1000 |
A |
V DRM |
Tekrarlayan zirve kapalı durum voltajı |
tp=10ms |
125 |
2000 |
|
3000 |
V |
V RRM |
Tekrarlayan tepe ters voltajı |
1000 |
|
2500 |
Ben DRM /IRRM |
Tekrarlayan tepe akımı |
v'de DRM /VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
Ben TSM |
Ani açık durum akımı |
10ms yarım sinüs dalga V R =0.6 V RRM |
125
|
|
|
16 |
kA |
Ben 2t |
Ben 2t için kaynaştırma koordinasyon |
|
|
1280 |
103A 2sahip |
V Için |
Sınır Voltajı |
|
125 |
|
|
1.55 |
V |
r T |
Açık durum eğim direnci |
|
|
0.40 |
mΩ |
V TM
|
Zirve açık durum voltajı
|
Ben TM =3000A, F=24kN
|
20≤ tq ≤ 35 |
25
|
|
|
2.80 |
V |
36≤ tq ≤ 60 |
|
|
2.60 |
V |
61≤ tq ≤ 75 |
|
|
2.40 |
V |
dv/dt |
Kritik artış hızı kapalı durumun voltaj |
V Dm =0.67 V DRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritik artış hızı açık durumun akım (Tekrarlanmaz) |
V Dm = 67% V DRM için 1600A,
Geçit nabzı t r ≤0.5μs Ben GM =1.5A
|
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
Q rR |
Geri Kazanım Yükü |
Ben TM =1000A ,tp=4000μs, di/ dt=-20A/μs, V R =100V |
125 |
|
750 |
|
μC |
tq |
Devre anahtarlamalı kapama süresi |
Ben TM =1000A ,tp=4000μs, V R =100V dv/dt=30V/µs ,di/dt=-20A/µs |
100 |
20 |
|
75 |
μs |
Ben GT |
Kapı tetikleme akımı |
V A =12V, Ben A =1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
V GT |
Kapı tetikleme voltajı |
0.9 |
|
3.0 |
V |
Ben H |
Tutma akımı |
20 |
|
500 |
mA |
Ben L |
Kilitleme akımı |
|
|
500 |
mA |
V GD |
Tetiklenmeyen kapı voltajı |
V Dm =67% V DRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
R th (j-c) |
Termal direnç Eklemden kasaya |
çift taraf soğutulmuş Sıkıştırma gücü 24kN |
|
|
|
0.020 |
℃ /W
|
R th (c-h) |
Termal direnç kasa ile ısı dağıtıcı |
|
|
|
0.005 |
F m |
Montaj kuvveti |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
T vj |
Çapraz sıcaklık |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
T sTG |
Saklama sıcaklığı |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
W t |
Ağırlık |
|
|
|
440 |
|
g |
Çizelge |
KT50cT |