Kısa giriş:
CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtar IGBT modülleri. 3300V 1200A.
Özellikler
- Ultra düşük anahtarlama kayıpları için SPT+çip seti
- Düşük VCE doygunluğu
- Düşük sürme gücü
- Yüksek güç döngüleme yeteneği için AlSiC taban plakası
- AlN altyapısı düşük ısı direnci için
Tipik uygulama
- Çekiş sürücüleri
- DC kesici
- Orta voltajlı inverterler/dönüştürücüler
- Orta voltajlı UPS sistemi
- Rüzgar enerjisi sistemi
En yüksek nominal değerler
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
M i̇Ç |
M eks |
Birim |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
DC kollektör Akımı |
Ic |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
Zirve kollektör akımı |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
Kapı emiter voltajı |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Toplam güç dağılımı |
Ptot |
TC =25°C, her anahtar için (IGBT) |
|
10500 |
W |
DC İleri Akım |
IF |
|
|
1200 |
A |
Zirve ileri akım |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
Aşırı akım |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, yarım sinüs dalgası
|
|
9000 |
A |
IGBT Kısa Devre SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
İzolasyon voltajı |
Visol |
1 dk, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
Çapraz sıcaklık |
Tvj |
|
|
150 |
°C |
Junction çalışma sıcaklığı |
Tvj ((op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Kasa sıcaklığı |
TC |
|
-50 |
125 |
°C |
Depolama Sıcaklığı |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Montaj torkları
|
M s |
Taban soğutucu, M6 vidalar |
4 |
6 |
Nm
|
Mt1 |
Ana terminaller, M8 vidalar , |
8 |
10 |
Mt2 |
Yardımcı terminaller, M6 vidalar |
2 |
3 |
IGBT karakteristiği
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
min |
tip |
max |
Birim |
Kollektör (- emiter) kırılma voltajı |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Kolektör-emiter doygunluk voltajı |
VCE doygunluğu
|
C = 1200 A, VGE= 15 V
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Kolektör kesme akımı |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
mA |
Kapı sızıntı akımı |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Kapı-Emitör Sınır Voltajı |
VGE (th) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Geçit Ücreti |
Genel Merkezi |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
μC |
Girdi Kapasitesi |
- Evet. |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
nF |
Çıkış Kapasitesi |
Koçlar |
|
11.57 |
|
nF |
Ters transfer kapasitansı |
Cres |
|
2.22 |
|
nF |
Açma Gecikme Zamanı |
td ((on)
|
VCC = 1800 V, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω ,VGE =±15V
L σ = 280nH, endüktif yük
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
ns |
Kalkma zamanı. |
- Evet. |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
ns |
Kapatma gecikme süresi |
td ((off) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
ns |
Sonbahar zamanı |
tF |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
ns |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
ns |
Açma - kapama anahtarlama kaybı |
Eon
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Kapatma anahtarlama kaybı enerjisi |
Eof
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Kısa devre akımı |
Isc
|
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, endüktif yük |
|
5000
|
|
A
|
Diyot karakteristiği
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
min |
tip |
max |
Birim |
İleri Voltaj |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Ters İyileşme Akımı |
Irr
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,endüktif yük
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
Geri Alınan Ücret |
Qrr
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
μC |
Ters İyileşme Süresi |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
ns |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
ns |
Geri dönüştürülmüş enerji |
Erec
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
EN
