GD200HFY120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

309

200

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T =175ü C

1006

E

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

K

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=200A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=200A,V GE =15V, T j =125ü C

1.95

EC=200A,V GE =15V, T j =150ü C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.2

6.0

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

4.0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25ü C

150

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t f

Sonbahar zamanı

93

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

11.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.3

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125ü C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

412

ns

t f

Sonbahar zamanı

165

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

19.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.0

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150ü C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

433

ns

t f

Sonbahar zamanı

185

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

21.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

19.1

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

K

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =200A,V GE =0V,T j =25ü C

1.65

2.10

V

EF =200A,V GE =0V,T j = 125ü C

1.65

EF =200A,V GE =0V,T j = 150ü C

1.65

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25ü C

17.6

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

228

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125ü C

31.8

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

238

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.8

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150ü C

36.6

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

247

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.2

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.35

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.149

0.206

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

300

e