GD900SGU120C3SN,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C

@ T C=80o C

1350

900

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1800

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =150o C

7.40

kw

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

900

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1800

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=800A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=800A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC= 16.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

3.40

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

8.56

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=800A, Çubuk G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

90

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

81

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t f

Sonbahar zamanı

55

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

36.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

41.3

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=800A, Çubuk G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

115

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

92

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

550

ns

t f

Sonbahar zamanı

66

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

52.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

59.4

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =800A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =800A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j =25o C

56

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

550

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

38.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

148

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

920

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

91.8

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

12

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.19

mΩ

Çubuk θ JC

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

16.9

26.2

K/kW

Çubuk θ CS

Kavşa-Sink (IGBT başına)

Kasadan Dökmeciye (diyot başına)

19.7

30.6

K/kW

Çubuk θ CS

Çuvaldan Dökme

6.0

K/kW

M

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık nın Modül

1500

g