Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD750HFA120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 750A Paket:C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD750HFA120C6S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 800A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=100o C

750

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1500

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

3125

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

900

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1500

A

IFSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- değer ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=750A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE =15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.45

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=750A,

Çubuk G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

622

ns

t f

Sonbahar zamanı

74

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

68.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

52.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=750A, Çubuk G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

89

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

685

ns

t f

Sonbahar zamanı

139

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

88.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

67.4

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=750A, Çubuk G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

715

ns

t f

Sonbahar zamanı

166

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

102

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

72.7

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

369

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

23.3

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

400

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

39.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

423

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

49.7

mJ

NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.048 0.088

K/W

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT )Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000