GD100PIX120C6SNA,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

155

100

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

200

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

511

G

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

100

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

200

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1600

V

B O

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

100

Bir

B FSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1150

880

Bir

B 2t

B 2t-değeri,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

6600

3850

Bir 2s

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

87

50

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

100

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

308

G

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

25

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

50

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =100A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C =100A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

B C =100A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

7.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, Çubuk G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

218

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

35

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

287

ns

t f

Sonbahar zamanı

212

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

9.23

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.85

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, Çubuk G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

242

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

41

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t f

Sonbahar zamanı

323

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

13.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.95

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, Çubuk G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

248

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

365

ns

t f

Sonbahar zamanı

333

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

14.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

10.5

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

Bir

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

B F =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

B F =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V T j =25o C

5.89

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

103

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.85

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V T j =125o C

13.7

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.64

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V T j =150o C

15.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.39

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =100A, T j =150o C

0.95

V

B Çubuk

Ters akım

T j =150o C,V Çubuk =1600V

2.0

mA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =50A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C =50A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

B C =50A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =2.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, Çubuk G =15Ω,V GE =±15V, T j =25o C

171

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t f

Sonbahar zamanı

82

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

6.10

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2.88

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, Çubuk G =15Ω,V GE =±15V, T j =125o C

182

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

443

ns

t f

Sonbahar zamanı

155

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

8.24

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.43

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, Çubuk G =15Ω,V GE =±15V, T j =150o C

182

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

464

ns

t f

Sonbahar zamanı

175

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

8.99

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.94

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

Bir

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =25A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

B F =25A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

B F =25A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =25o C

2.9

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

55

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

0.93

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =125o C

5.1

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.72

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =150o C

5.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

60

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.01

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

40

nH

Çubuk CC+EE Çubuk AA ’+CC ’

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 3.00

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT -değiştiriciler )

Bağlantı Noktası-Şase (her Diyod-invert er)

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT -fren -helikopter ) Birleşim-Kabuk (her Diyatod-brake-chop her)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

Çubuk thCH

Vaka -karşı -Isı çubuğu (perIGBT -değiştiriciler )

Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-in verter)

Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier

Vaka -karşı -Isı çubuğu (perIGBT -fren -helikopter )Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-tormoz- kesic) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g