Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD100PIX120C6SNA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 150A, paket: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100PIX120C6SNA
  • Tanıtım
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT-invertör

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C @ T C=100ü C

155

100

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

200

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

511

E

Diyot-dönüştürücü

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

100

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

200

K

Diyod-diktleme

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1600

V

EÜ

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

100

K

EFSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T j =25ü C @ T j =150ü C

1150

880

K

E2t

E2t-değeri,t p =10ms @ T j =25ü C @ T j =150ü C

6600

3850

K 2s

IGBT-fren

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C @ T C=100ü C

87

50

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

100

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

308

E

Diyot -fren

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

25

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

50

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT -değiştiriciler Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=100A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=100A,V GE =15V, T j =125ü C

1.95

EC=100A,V GE =15V, T j =150ü C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.6

6.2

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

7.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk E=1.6Ω,V GE =±15V, T j =25ü C

218

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

35

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

287

ns

t f

Sonbahar zamanı

212

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

9.23

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.85

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk E=1.6Ω,V GE =±15V, T j =125ü C

242

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

41

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t f

Sonbahar zamanı

323

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

13.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.95

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk E=1.6Ω,V GE =±15V, T j =150ü C

248

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

365

ns

t f

Sonbahar zamanı

333

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

14.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

10.5

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

K

Diyot -değiştiriciler Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =100A,V GE =0V,T j =25ü C

1.85

2.30

V

EF =100A,V GE =0V,T j =125ü C

1.90

EF =100A,V GE =0V,T j =150ü C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V T j =25ü C

5.89

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

103

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.85

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V T j =125ü C

13.7

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.64

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V T j =150ü C

15.6

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.39

mJ

Diyot -doğrultucu Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =100A, T j =150ü C

0.95

V

EÇubuk

Ters akım

T j =150ü C,V Çubuk =1600V

2.0

mA

IGBT -fren Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=50A,V GE =15V, T j =25ü C

1.70

2.15

V

EC=50A,V GE =15V, T j =125ü C

1.95

EC=50A,V GE =15V, T j =150ü C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=2.00mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.6

6.2

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=50A, Çubuk E=15Ω,V GE =±15V, T j =25ü C

171

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t f

Sonbahar zamanı

82

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

6.10

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2.88

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=50A, Çubuk E=15Ω,V GE =±15V, T j =125ü C

182

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

443

ns

t f

Sonbahar zamanı

155

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

8.24

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.43

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=50A, Çubuk E=15Ω,V GE =±15V, T j =150ü C

182

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

464

ns

t f

Sonbahar zamanı

175

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

8.99

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.94

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

K

Diyot -fren Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =25A,V GE =0V,T j =25ü C

1.85

2.30

V

EF =25A,V GE =0V,T j =125ü C

1.90

EF =25A,V GE =0V,T j =150ü C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =25ü C

2.9

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

55

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

0.93

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =125ü C

5.1

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.72

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =150ü C

5.6

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

60

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.01

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 ü Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

40

nH

Çubuk CC+EE Çubuk AA ’+CC ’

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 3.00

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT -değiştiriciler )

Bağlantı Noktası-Şase (her Diyod-invert er)

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)

Kavşak -ile -Durum (perIGBT -fren -helikopter ) Birleşim-Kabuk (her Diyatod-brake-chop her)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -değiştiriciler )

Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-in verter)

Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -fren -helikopter )Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-tormoz- kesic) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

300

e

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000